Infineon, IGBT, 24 A 600 V, TO-263

Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal (1 förpackning med 5 enheter)*

146,61 kr

(exkl. moms)

183,26 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 895 enhet(er) från den 17 augusti 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
Per förpackning*
5 - 2029,322 kr146,61 kr
25 - 4526,388 kr131,94 kr
50 - 12024,954 kr124,77 kr
125 - 24523,14 kr115,70 kr
250 +21,46 kr107,30 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
258-7725
Tillv. art.nr:
IKB10N60TATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

IGBT

Maximal kontinuerlig kollektorström Ic

24A

Maximal kollektor-emitterspänning Vceo

600V

Maximal effektförlust Pd

110W

Kapseltyp

TO-263

Maximal spänning för gate-emitter VGEO

±20 V

Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT

1.5V

Minsta arbetsstemperatur

-40°C

Maximal arbetstemperatur

175°C

Serie

TRENCHSTOPTM

Standarder/godkännanden

JEDEC1

Fordonsstandard

Nej

Infineons IGBT diskret med antiparallell diod i TO-263-kapsel. Den har en betydande förbättring av enhetens statiska såväl som dynamiska prestanda, tack vare kombinationen av trench-cell och fältstoppkoncept. Den har även låga lednings- och omkopplingsförluster.

Lägsta VCEsat-fall för lägre ledningsförluster

Enkel parallell omkopplingskapacitet tack vare positiv temperaturkoefficient i VCEsat

Mycket mjuk, snabb antiparallell emitterstyrd diod

Hög robusthet, temperaturstabilt beteende

Låg grindladdning

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.