Infineon, IGBT-modul, 4.7 A, TO-263

Se alla IGBT:er
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal (1 enhet)*

51,63 kr

(exkl. moms)

64,54 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 650 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
1 - 951,63 kr
10 - 2445,92 kr
25 - 4943,46 kr
50 - 9940,32 kr
100 +37,18 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
258-3757
Tillv. art.nr:
IMBG120R350M1HXTMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Maximal kontinuerlig kollektorström Ic

4.7A

Produkttyp

IGBT-modul

Maximal effektförlust Pd

65W

Kapseltyp

TO-263

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

JEDEC47/20/22

Fordonsstandard

Nej

Infineon CoolSiC1200 V, 350 mΩ SiC MOSFET i ett D2PAK-7L-paket bygger på en toppmodern trench-halvledarprocess som optimerats för att kombinera prestanda med tillförlitlighet i drift. Den låga effektförlusten i CoolSiC-tekniken, kombinerad med XT-anslutningsteknik i ett nytt 1200 V optimerat SMD-paket, möjliggör maximal effektivitet och passiv kylpotential i tillämpningar som drivenheter, laddare och industriella strömförsörjningar.

Mycket låga omkopplingsförluster

Kortslutningshålltid, 3 μs

Helt kontrollerbar dV/dt

Effektivitetsförbättring

Möjliggör högre frekvens

Ökad effekttäthet

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.