Infineon, IGBT-modul, 4.7 A, TO-263
- RS-artikelnummer:
- 258-3757
- Tillv. art.nr:
- IMBG120R350M1HXTMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 enhet)*
51,63 kr
(exkl. moms)
64,54 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 654 enhet(er) från den 26 februari 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 9 | 51,63 kr |
| 10 - 24 | 45,92 kr |
| 25 - 49 | 43,46 kr |
| 50 - 99 | 40,32 kr |
| 100 + | 37,18 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 258-3757
- Tillv. art.nr:
- IMBG120R350M1HXTMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | IGBT-modul | |
| Maximal kontinuerlig kollektorström Ic | 4.7A | |
| Maximal effektförlust Pd | 65W | |
| Kapseltyp | TO-263 | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | JEDEC47/20/22 | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp IGBT-modul | ||
Maximal kontinuerlig kollektorström Ic 4.7A | ||
Maximal effektförlust Pd 65W | ||
Kapseltyp TO-263 | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden JEDEC47/20/22 | ||
Fordonsstandard Nej | ||
The Infineon CoolSiC1200 V, 350 mΩ SiC MOSFET in a D2PAK-7L package build on a state-of-the-art trench semiconductor process optimized to combine performance with reliability in operation. The low power losses of CoolSiC technology, combined with XT interconnection technology in a new 1200 V optimized SMD package, enables top efficiency and passive cooling potential in applications such as drives, chargers and industrial powers supplies.
Very low switching losses
Short-circuit withstand time, 3 μs
Fully controllable dV/dt
Efficiency improvement
Enabling higher frequency
Increased power density