Infineon, IGBT-modul, 4.7 A, TO-263

Se alla IGBT:er

Antal (1 rulle med 1000 enheter)*

21 504,00 kr

(exkl. moms)

26 880,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 07 september 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
1000 +21,504 kr21 504,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
258-3756
Tillv. art.nr:
IMBG120R350M1HXTMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Maximal kontinuerlig kollektorström Ic

4.7A

Produkttyp

IGBT-modul

Maximal effektförlust Pd

65W

Kapseltyp

TO-263

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

JEDEC47/20/22

Fordonsstandard

Nej

The Infineon CoolSiC1200 V, 350 mΩ SiC MOSFET in a D2PAK-7L package build on a state-of-the-art trench semiconductor process optimized to combine performance with reliability in operation. The low power losses of CoolSiC technology, combined with XT interconnection technology in a new 1200 V optimized SMD package, enables top efficiency and passive cooling potential in applications such as drives, chargers and industrial powers supplies.

Very low switching losses

Short-circuit withstand time, 3 μs

Fully controllable dV/dt

Efficiency improvement

Enabling higher frequency

Increased power density

Relaterade länkar