Infineon, IGBT-modul, 50 A 600 V, TO-220
- RS-artikelnummer:
- 259-1525
- Tillv. art.nr:
- IGP50N60TXKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Antal (1 förpackning med 2 enheter)*
72,04 kr
(exkl. moms)
90,04 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 450 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 2 + | 36,02 kr | 72,04 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 259-1525
- Tillv. art.nr:
- IGP50N60TXKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Maximal kontinuerlig kollektorström Ic | 50A | |
| Produkttyp | IGBT-modul | |
| Maximal kollektor-emitterspänning Vceo | 600V | |
| Maximal effektförlust Pd | 333W | |
| Kapseltyp | TO-220 | |
| Maximal spänning för gate-emitter VGEO | 20 V | |
| Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT | 1.5V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Serie | TRENCHSTOPTM | |
| Standarder/godkännanden | JEDEC1 | |
| Höjd | 4.57mm | |
| Längd | 29.95mm | |
| Bredd | 10.36 mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Maximal kontinuerlig kollektorström Ic 50A | ||
Produkttyp IGBT-modul | ||
Maximal kollektor-emitterspänning Vceo 600V | ||
Maximal effektförlust Pd 333W | ||
Kapseltyp TO-220 | ||
Maximal spänning för gate-emitter VGEO 20 V | ||
Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT 1.5V | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Serie TRENCHSTOPTM | ||
Standarder/godkännanden JEDEC1 | ||
Höjd 4.57mm | ||
Längd 29.95mm | ||
Bredd 10.36 mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
The Infineon low loss IGBT has easy parallel switching capability due to positive temperature coefficient in Vcesat. It is high ruggedness, temperature stable behaviour. It is very soft, fast recovery anti-parallel emitter controlled diode.
Maximum junction temperature 175°C
Short circuit withstand time 5 micro second
Low EMI
Low gate charge
Very tight parameter distribution