Infineon, IGBT-modul 650 V Genomgående hål 4

Se alla IGBT:er

Antal (1 fack med 15 enheter)*

8 688,96 kr

(exkl. moms)

10 861,20 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 05 januari 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per fack*
15 +579,264 kr8 688,96 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
248-1201
Tillv. art.nr:
F3L150R07W2H3B11BPSA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

IGBT-modul

Maximal kollektor-emitterspänning Vceo

650V

Antal transistorer

4

Maximal effektförlust Pd

20mW

Typ av fäste

Genomgående hål

Maximal spänning för gate-emitter VGEO

20 V

Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT

2V

Minsta arbetsstemperatur

-40°C

Maximal arbetstemperatur

150°C

Serie

F3L150R07W2H3B11

Längd

56.7mm

Höjd

12mm

Standarder/godkännanden

RoHS

Bredd

48mm

Fordonsstandard

Nej

Infineon tillverkar denna EasyPACK 2B 650 V, 100 A 3-nivå IGBT-modul med Trench/Fieldstop IGBT H3 och snabb diod och PressFIT / NTC. Denna enhet erbjuder lättanvänd kompakt design, optimerad prestanda. Enheten ger ytterligare fördelar som ökad blockeringsspänningskapacitet upp till 650 V, låg induktiv design, låga omkopplingsförluster och låg VCE,sat. Den använder ett Al2O3-substrat med låg termisk resistans och PressFIT-kontaktteknik. Denna enhet erbjuder robust montering tack vare integrerad monteringsklämma. Denna enhet använder IGBT HighSpeed 3-teknik.

Bästa kostnads-prestanda-förhållande med minskade systemkostnader

Hög grad av frihet i design

Högsta effektivitet och effekttäthet

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.