Infineon, IGBT-krets med enkel transistor, N Kanal, 34 A 600 V, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- RS-artikelnummer:
- 215-6659
- Tillv. art.nr:
- IKFW40N60DH3EXKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 2 enheter)*
161,39 kr
(exkl. moms)
201,738 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 1 642 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | 80,695 kr | 161,39 kr |
| 10 - 18 | 67,815 kr | 135,63 kr |
| 20 - 48 | 63,73 kr | 127,46 kr |
| 50 - 98 | 59,025 kr | 118,05 kr |
| 100 + | 54,88 kr | 109,76 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 215-6659
- Tillv. art.nr:
- IKFW40N60DH3EXKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Maximal kontinuerlig kollektorström Ic | 34A | |
| Produkttyp | IGBT-krets med enkel transistor | |
| Maximal kollektor-emitterspänning Vceo | 600V | |
| Maximal effektförlust Pd | 111W | |
| Kapseltyp | TO-247 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Kanaltyp | N | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal spänning för gate-emitter VGEO | ±30 V | |
| Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT | 2.3V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Serie | TrenchStop | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Maximal kontinuerlig kollektorström Ic 34A | ||
Produkttyp IGBT-krets med enkel transistor | ||
Maximal kollektor-emitterspänning Vceo 600V | ||
Maximal effektförlust Pd 111W | ||
Kapseltyp TO-247 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Kanaltyp N | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal spänning för gate-emitter VGEO ±30 V | ||
Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT 2.3V | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Serie TrenchStop | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineons höghastighetsomkopplande serie med isolerad bipolär transistor med grind, snabb och mjuk antiparallell diod i helt isolerad kapsel.
Högeffektiv
Låga omkopplingsförluster
Ökad tillförlitlighet
Låg elektromagnetisk störning
Relaterade länkar
- Infineon, IGBT-krets med enkel transistor, Typ N Kanal, 34 A 600 V, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- Infineon, IGBT-krets med enkel transistor, Typ N Kanal, 53 A 600 V, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- Infineon, IGBT-krets med enkel transistor, Typ N Kanal, 160 A 600 V, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- Infineon AEC-Q101, IGBT-krets med enkel transistor, Typ N Kanal, 80 A 600 V, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- Infineon AEC-Q101, IGBT-krets med enkel transistor, Typ N Kanal, 60 A 600 V, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- Infineon AEC-Q101, IGBT-krets med enkel transistor, Typ N Kanal, 40 A 600 V, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- Infineon, IGBT-krets med enkel transistor, Typ N Kanal, 74 A 650 V, 3 Ben, TO-247 Yta
- Infineon, IGBT-krets med enkel transistor, 20 A 1200 V, 3 Ben, PG-TO-247