Infineon, IGBT-krets med enkel transistor, Typ N Kanal, 40 A 1350 V, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål

Se alla IGBT:er
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 5 enheter)*

178,08 kr

(exkl. moms)

222,60 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 25 enhet(er) från den 27 april 2026
  • Dessutom levereras 215 enhet(er) från den 04 maj 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
Per förpackning*
5 - 2035,616 kr178,08 kr
25 - 4532,076 kr160,38 kr
50 - 12029,926 kr149,63 kr
125 - 24528,134 kr140,67 kr
250 +25,984 kr129,92 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
215-6636
Tillv. art.nr:
IHW20N135R5XKSA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

IGBT-krets med enkel transistor

Maximal kontinuerlig kollektorström Ic

40A

Maximal kollektor-emitterspänning Vceo

1350V

Maximal effektförlust Pd

310W

Kapseltyp

TO-247

Typ av fäste

Genomgående hål

Kanaltyp

Typ N

Antal ben

3

Maximal spänning för gate-emitter VGEO

±25 V

Minsta arbetsstemperatur

-40°C

Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT

1.85V

Maximal arbetstemperatur

175°C

Höjd

5.21mm

Längd

42mm

Serie

Resonant Switching

Standarder/godkännanden

IEC61249-2-21, RoHS

Fordonsstandard

Nej

The Infineon reverse conducting insulated-gate bipolar transistor with monolithic body diode offers high breakdown voltage of 1350v.

High Efficiency

Low Switching Losses

Increased Reliability

Low Electromagnetic Interference

Relaterade länkar