Infineon, IGBT-krets med enkel transistor, N Kanal, 40 A 1.35 kV, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- RS-artikelnummer:
- 215-6636
- Tillv. art.nr:
- IHW20N135R5XKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
208,32 kr
(exkl. moms)
260,40 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 50 enhet(er) är redo att levereras
- Dessutom levereras 140 enhet(er) från den 21 oktober 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 41,664 kr | 208,32 kr |
| 25 - 45 | 37,498 kr | 187,49 kr |
| 50 - 120 | 34,988 kr | 174,94 kr |
| 125 - 245 | 32,928 kr | 164,64 kr |
| 250 + | 30,42 kr | 152,10 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 215-6636
- Tillv. art.nr:
- IHW20N135R5XKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Maximal kontinuerlig kollektorström Ic | 40A | |
| Produkttyp | IGBT-krets med enkel transistor | |
| Maximal kollektor-emitterspänning Vceo | 1.35kV | |
| Maximal effektförlust Pd | 310W | |
| Kapseltyp | TO-247 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Kanaltyp | N | |
| Antal ben | 3 | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Maximal spänning för gate-emitter VGEO | ±25 V | |
| Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT | 1.85V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Höjd | 5.21mm | |
| Serie | Resonant Switching | |
| Bredd | 16.13mm | |
| Standarder/godkännanden | IEC61249-2-21, RoHS | |
| Längd | 42mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Maximal kontinuerlig kollektorström Ic 40A | ||
Produkttyp IGBT-krets med enkel transistor | ||
Maximal kollektor-emitterspänning Vceo 1.35kV | ||
Maximal effektförlust Pd 310W | ||
Kapseltyp TO-247 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Kanaltyp N | ||
Antal ben 3 | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Maximal spänning för gate-emitter VGEO ±25 V | ||
Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT 1.85V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Höjd 5.21mm | ||
Serie Resonant Switching | ||
Bredd 16.13mm | ||
Standarder/godkännanden IEC61249-2-21, RoHS | ||
Längd 42mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineon resonant omkopplingsserie IGBT Single Transistor IC, 1350 V max kollektorsändarspänning, 40 A max kontinuerlig kollektorsström - IHW20N135R5XKSA1
Denna IGBT-enkeltransistor-IC är en högspänningsomkopplingsenhet som är utformad för strömomvandlingsmiljöer där robust kollektor-emitter-prestanda krävs. Den fungerar över ett utökat temperaturområde som är lämpligt för krävande termiska förhållanden och levereras i en TO-247-kapsling med genomgående hål för konventionell kretskortsmontering. Enheten riktar sig till resonansomkopplingstillämpningar som kräver betydande kontinuerlig strömhantering och låg mättnad under ledning.
Funktioner och fördelar:
• Kollektor-emitterklassning på 1350 V möjliggör högspänningsdrift
• 40 A kontinuerlig kollektorström stöder höga belastningsströmmar
• 1,85 V VCE(sat) minskar ledningsförluster under belastning
• ±25 V gate-emittertolerans möjliggör breda drivspänningar
• 310 W effektförlust möjliggör högeffektsomkoppling
• Arbetsområde -40 till 175 °C klarar extrema temperaturer
• 40 A kontinuerlig kollektorström stöder höga belastningsströmmar
• 1,85 V VCE(sat) minskar ledningsförluster under belastning
• ±25 V gate-emittertolerans möjliggör breda drivspänningar
• 310 W effektförlust möjliggör högeffektsomkoppling
• Arbetsområde -40 till 175 °C klarar extrema temperaturer
Användningsområden
• Lämplig för resonansomvandlare i nätaggregat
• Idealisk för industriella motorstyrningsväxelriktare
• Används med switchade nätaggregat med hög spänning
• Kan användas för strömomvandlingsmoduler av användarklass
• Lämplig för DC/DC-omvandlartopologier med hög effekt
• Idealisk för industriella motorstyrningsväxelriktare
• Används med switchade nätaggregat med hög spänning
• Kan användas för strömomvandlingsmoduler av användarklass
• Lämplig för DC/DC-omvandlartopologier med hög effekt
Vilken monteringsmetod kräver denna enhet?
Den levereras i en TO-247-förpackning med genomgående hål avsedd för montering av lödda kort och kylning genom förpackningens flik.
Hur hanterar transistorn värmen vid kontinuerlig drift?
Den maximala effektförlusten på 310 W definierar den termiska belastning den kan hantera när den är monterad på en lämplig termisk bana, t.ex. en kylelement och korrekt luftflöde.
Vilka begränsningar för grinddrivning måste observeras?
Grindemitter-spänningen måste hållas inom ±25 V för att undvika grindisoleringsbelastning och säkerställa tillförlitlig omkoppling.
Finns det material- eller regleringsbegränsningar som är relevanta för designen?
Enheten uppfyller RoHS-kraven och tillverkas med material som uppfyller IEC 61249-2-21-standarderna för vissa substratkompositioner.
Relaterade länkar
- Infineon, IGBT-krets med enkel transistor, N Kanal, 40 A 1350 V, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- Infineon, IGBT-krets med enkel transistor, N Kanal, 74 A 650 V, 3 Ben, TO-247 Yta
- Infineon, IGBT-krets med enkel transistor, N Kanal, 53 A 600 V, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- Infineon, IGBT-krets med enkel transistor, N Kanal, 30 A 1200 V, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- Infineon, IGBT-krets med enkel transistor, N Kanal, 85 A 650 V, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- Infineon, IGBT-krets med enkel transistor, N Kanal, 34 A 600 V, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- Infineon, IGBT-krets med enkel transistor, N Kanal, 60 A 1200 V, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- Infineon, IGBT-krets med enkel transistor, N Kanal, 60 A 650 V, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål