Infineon, IGBT-krets med enkel transistor, Typ N Kanal, 12 A 600 V, 3 Ben, TO-252 Yta

Se alla IGBT:er

Antal (1 förpackning med 15 enheter)*

72,495 kr

(exkl. moms)

90,615 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 1 845 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
15 +4,833 kr72,50 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
226-6074
Tillv. art.nr:
IGD06N60TATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

IGBT-krets med enkel transistor

Maximal kontinuerlig kollektorström Ic

12A

Maximal kollektor-emitterspänning Vceo

600V

Maximal effektförlust Pd

88W

Kapseltyp

TO-252

Fästetyp

Yta

Kanaltyp

Typ N

Antal ben

3

Minsta arbetsstemperatur

-40°C

Maximal spänning för gate-emitter VGEO

20 V

Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT

1.5V

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

JEDEC1

Serie

TRENCHSTOPTM

Fordonsstandard

Nej

The Infineon IGD06N60T is very soft, fast recovery anti-parallel emitter controlled diode and has high ruggedness, temperature stable behaviour. It has low switching loss.

Very low VCE(sat) 1.5 V (typ.)

Maximum junction temperature 175°C

Short circuit withstand time 5microsecond

Relaterade länkar