Infineon AEC-Q101, IGBT-krets med enkel transistor, N Kanal, 80 A 600 V, 3 Ben, TO-263 Genomgående hål
- RS-artikelnummer:
- 215-6620
- Tillv. art.nr:
- AIKW50N60CTXKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Få en mängdrabatt
Lägg till 10 till för att spara 9%
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 2 enheter)*
170,91 kr
(exkl. moms)
213,64 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 1 136 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* | Besparing |
|---|---|---|---|
| 2 - 8 | 85,455 kr | 170,91 kr | - |
| 10 - 18 | 76,945 kr | 153,89 kr | 9% |
| 20 - 48 | 71,85 kr | 143,70 kr | 15% |
| 50 - 98 | 67,535 kr | 135,07 kr | 20% |
| 100 + | 62,385 kr | 124,77 kr | 26% |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 215-6620
- Tillv. art.nr:
- AIKW50N60CTXKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | IGBT-krets med enkel transistor | |
| Maximal kontinuerlig kollektorström Ic | 80A | |
| Maximal kollektor-emitterspänning Vceo | 600V | |
| Maximal effektförlust Pd | 250W | |
| Kapseltyp | TO-263 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Kanaltyp | N | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT | 1.5V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Maximal spänning för gate-emitter VGEO | 20 V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Höjd | 5.21mm | |
| Längd | 42mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Bredd | 16.13mm | |
| Serie | TRENCHSTOPTM | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp IGBT-krets med enkel transistor | ||
Maximal kontinuerlig kollektorström Ic 80A | ||
Maximal kollektor-emitterspänning Vceo 600V | ||
Maximal effektförlust Pd 250W | ||
Kapseltyp TO-263 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Kanaltyp N | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT 1.5V | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Maximal spänning för gate-emitter VGEO 20 V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Höjd 5.21mm | ||
Längd 42mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Bredd 16.13mm | ||
Serie TRENCHSTOPTM | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
Infineons Fieldtop-teknik med isolerad bipolär porttransistor med mjuk snabb återställning, anti-parallell emitterstyrd diod.
Högeffektiv
Låga omkopplingsförluster
Ökad tillförlitlighet
Låg elektromagnetisk störning
Relaterade länkar
- Infineon AEC-Q101, IGBT-krets med enkel transistor, N Kanal, 80 A 600 V, 3 Ben, TO-263 Genomgående hål
- Infineon, IGBT-krets med enkel transistor, N Kanal, 90 A 600 V, 3 Ben, TO-263 Yta
- Infineon, IGBT-krets med enkel transistor, N Kanal, 26 A 600 V, 3 Ben, TO-263 Yta
- Infineon AEC-Q101, IGBT-krets med enkel transistor, N Kanal, 80 A 600 V, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- Infineon AEC-Q101, IGBT-krets med enkel transistor, N Kanal, 40 A 600 V, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- Infineon AEC-Q101, IGBT-krets med enkel transistor, N Kanal, 60 A 600 V, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- Infineon AEC-Q101, IGBT-krets med enkel transistor, 80 A 650 V, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- Infineon, IGBT-krets med enkel transistor, N Kanal, 30 A 650 V, 3 Ben, TO-263 Yta