Infineon AEC-Q101, IGBT-krets med enkel transistor, Typ N Kanal, 80 A 600 V, 3 Ben, TO-263 Genomgående hål
- RS-artikelnummer:
- 215-6620
- Tillv. art.nr:
- AIKW50N60CTXKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 2 enheter)*
170,69 kr
(exkl. moms)
213,362 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 1 136 enhet(er) från den 10 juni 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | 85,345 kr | 170,69 kr |
| 10 - 18 | 76,83 kr | 153,66 kr |
| 20 - 48 | 71,68 kr | 143,36 kr |
| 50 - 98 | 67,425 kr | 134,85 kr |
| 100 + | 62,27 kr | 124,54 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 215-6620
- Tillv. art.nr:
- AIKW50N60CTXKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | IGBT-krets med enkel transistor | |
| Maximal kontinuerlig kollektorström Ic | 80A | |
| Maximal kollektor-emitterspänning Vceo | 600V | |
| Maximal effektförlust Pd | 250W | |
| Kapseltyp | TO-263 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Antal ben | 3 | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Maximal spänning för gate-emitter VGEO | 20 V | |
| Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT | 1.5V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Längd | 42mm | |
| Höjd | 5.21mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Serie | TRENCHSTOPTM | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp IGBT-krets med enkel transistor | ||
Maximal kontinuerlig kollektorström Ic 80A | ||
Maximal kollektor-emitterspänning Vceo 600V | ||
Maximal effektförlust Pd 250W | ||
Kapseltyp TO-263 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Antal ben 3 | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Maximal spänning för gate-emitter VGEO 20 V | ||
Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT 1.5V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Längd 42mm | ||
Höjd 5.21mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Serie TRENCHSTOPTM | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
The Infineon fieldstop technology insulated-gate bipolar transistor with soft fast recovery anti parallel emitter controlled diode.
High Efficiency
Low Switching Losses
Increased Reliability
Low Electromagnetic Interference
Relaterade länkar
- Infineon AEC-Q101, IGBT-krets med enkel transistor, Typ N Kanal, 80 A 600 V, 3 Ben, TO-263 Genomgående hål
- Infineon, IGBT-krets med enkel transistor, Typ N Kanal, 90 A 600 V, 3 Ben, TO-263 Yta
- Infineon, IGBT-krets med enkel transistor, Typ N Kanal, 26 A 600 V, 3 Ben, TO-263 Yta
- Infineon AEC-Q101, IGBT-krets med enkel transistor, Typ N Kanal, 80 A 600 V, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- Infineon AEC-Q101, IGBT-krets med enkel transistor, 80 A 650 V, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- Infineon AEC-Q101, IGBT-krets med enkel transistor, Typ N Kanal, 40 A 600 V, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- Infineon AEC-Q101, IGBT-krets med enkel transistor, Typ N Kanal, 60 A 600 V, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- Infineon, IGBT-krets med enkel transistor, 4 A 600 V 20 kHz, PG-SOT223