Infineon, IGBT-krets med enkel transistor, Typ N Kanal, 34 A 600 V, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål

Se alla IGBT:er

Antal (1 rör med 30 enheter)*

848,34 kr

(exkl. moms)

1 060,44 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 1 620 enhet(er) från den 24 april 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rör*
30 +28,278 kr848,34 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
215-6658
Tillv. art.nr:
IKFW40N60DH3EXKSA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

IGBT-krets med enkel transistor

Maximal kontinuerlig kollektorström Ic

34A

Maximal kollektor-emitterspänning Vceo

600V

Maximal effektförlust Pd

111W

Kapseltyp

TO-247

Typ av fäste

Genomgående hål

Kanaltyp

Typ N

Antal ben

3

Maximal spänning för gate-emitter VGEO

±30 V

Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT

2.3V

Minsta arbetsstemperatur

-40°C

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

No

Serie

TrenchStop

Fordonsstandard

Nej

The Infineon high speed switching series insulated-gate bipolar transistor fast and soft antiparallel diode in fully isolated package.

High Efficiency

Low Switching Losses

Increased Reliability

Low Electromagnetic Interference

Relaterade länkar