Infineon, IGBT-krets med enkel transistor, Typ N Kanal, 53 A 600 V, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål

Mängdrabatt möjlig

Antal (1 rör med 30 enheter)*

1 237,83 kr

(exkl. moms)

1 547,28 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 30 enhet(er) från den 24 april 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
Per rör*
30 - 3041,261 kr1 237,83 kr
60 - 12039,20 kr1 176,00 kr
150 +37,546 kr1 126,38 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
215-6660
Tillv. art.nr:
IKFW60N60DH3EXKSA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Maximal kontinuerlig kollektorström Ic

53A

Produkttyp

IGBT-krets med enkel transistor

Maximal kollektor-emitterspänning Vceo

600V

Maximal effektförlust Pd

141W

Kapseltyp

TO-247

Typ av fäste

Genomgående hål

Kanaltyp

Typ N

Antal ben

3

Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT

2.2V

Maximal spänning för gate-emitter VGEO

±30 V

Minsta arbetsstemperatur

-40°C

Maximal arbetstemperatur

175°C

Serie

TRENCHSTOPTM Advanced Isolation

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

Nej

The Infineon insulated-gate bipolar transistor copacked with rapid 1 fast and soft antiparallel diode in fully isolated package.

High Efficiency

Low Switching Losses

Increased Reliability

Low Electromagnetic Interference

Relaterade länkar