Infineon, IGBT-krets med enkel transistor, Typ N Kanal, 160 A 600 V, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- RS-artikelnummer:
- 226-6109
- Tillv. art.nr:
- IKQ120N60TXKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 enhet)*
104,27 kr
(exkl. moms)
130,34 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 19 november 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 9 | 104,27 kr |
| 10 - 24 | 95,98 kr |
| 25 - 49 | 89,60 kr |
| 50 - 99 | 83,44 kr |
| 100 + | 77,17 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 226-6109
- Tillv. art.nr:
- IKQ120N60TXKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | IGBT-krets med enkel transistor | |
| Maximal kontinuerlig kollektorström Ic | 160A | |
| Maximal kollektor-emitterspänning Vceo | 600V | |
| Maximal effektförlust Pd | 833W | |
| Kapseltyp | TO-247 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Antal ben | 3 | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT | 1.5V | |
| Maximal spänning för gate-emitter VGEO | 20 V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Längd | 41.2mm | |
| Serie | TrenchStop | |
| Höjd | 5.1mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp IGBT-krets med enkel transistor | ||
Maximal kontinuerlig kollektorström Ic 160A | ||
Maximal kollektor-emitterspänning Vceo 600V | ||
Maximal effektförlust Pd 833W | ||
Kapseltyp TO-247 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Antal ben 3 | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT 1.5V | ||
Maximal spänning för gate-emitter VGEO 20 V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Längd 41.2mm | ||
Serie TrenchStop | ||
Höjd 5.1mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineon IKQ120N60T har 600 V hårdväxlande IGBT-diskret med anti-parallell diod som använder högre systemets effekttäthet Ic som ökar att hålla samma systemets termiska prestanda och den har högre tillförlitlighet med utökad livslängd för enheten.
35 % större aktiv värmeplatta för upp till 20 % lägre termisk resistans R th(jh)
Förlängd krypavstånd på 4,25 mm – 2 mm större än TO-247
Relaterade länkar
- Infineon, IGBT-krets med enkel transistor, Typ N Kanal, 160 A 600 V, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- Infineon, IGBT-krets med enkel transistor, Typ N Kanal, 34 A 600 V, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- Infineon, IGBT-krets med enkel transistor, Typ N Kanal, 53 A 600 V, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- Infineon AEC-Q101, IGBT-krets med enkel transistor, Typ N Kanal, 40 A 600 V, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- Infineon AEC-Q101, IGBT-krets med enkel transistor, Typ N Kanal, 60 A 600 V, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- Infineon AEC-Q101, IGBT-krets med enkel transistor, Typ N Kanal, 80 A 600 V, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- Infineon, IGBT-krets med enkel transistor, Typ N Kanal, 74 A 650 V, 3 Ben, TO-247 Yta
- Infineon, IGBT-krets med enkel transistor, 20 A 1200 V, 3 Ben, PG-TO-247