Infineon, IGBT-krets med enkel transistor, Typ N Kanal, 25 A 650 V, 3 Ben, TO-220 Genomgående hål
- RS-artikelnummer:
- 226-6079
- Tillv. art.nr:
- IKA10N65ET6XKSA2
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Antal (1 rör med 50 enheter)*
425,15 kr
(exkl. moms)
531,45 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Sista RS lager
- Slutlig(a) 350 enhet(er), redo att levereras
Enheter | Per enhet | Per rör* |
|---|---|---|
| 50 + | 8,503 kr | 425,15 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 226-6079
- Tillv. art.nr:
- IKA10N65ET6XKSA2
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | IGBT-krets med enkel transistor | |
| Maximal kontinuerlig kollektorström Ic | 25A | |
| Maximal kollektor-emitterspänning Vceo | 650V | |
| Maximal effektförlust Pd | 32.5W | |
| Kapseltyp | TO-220 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT | 1.5V | |
| Maximal spänning för gate-emitter VGEO | 30 V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Serie | TrenchStop | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp IGBT-krets med enkel transistor | ||
Maximal kontinuerlig kollektorström Ic 25A | ||
Maximal kollektor-emitterspänning Vceo 650V | ||
Maximal effektförlust Pd 32.5W | ||
Kapseltyp TO-220 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT 1.5V | ||
Maximal spänning för gate-emitter VGEO 30 V | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Serie TrenchStop | ||
Fordonsstandard Nej | ||
The Infineon IKA10N65ET6 is good thermal performance, especially at higher frequencies and increased design margin and reliability. It is very soft, fast recovery anti-parallel rapid diode.
Very low VCE(sat) 1.5V(typ.)
Maximum junction temperature 175°C
Low gate chargeQG
Pb-free lead platingRoHS compliant
Relaterade länkar
- Infineon, IGBT-krets med enkel transistor, Typ N Kanal, 25 A 650 V, 3 Ben, TO-220 Genomgående hål
- Infineon, IGBT-krets med enkel transistor, 28 A 650 V, TO-220
- Infineon, IGBT-krets med enkel transistor, Typ N Kanal, 79 A 650 V, 3 Ben, TO-263 Yta
- Infineon, IGBT-krets med enkel transistor, Typ N Kanal, 74 A 650 V, 3 Ben, TO-263 Yta
- Infineon, IGBT-krets med enkel transistor, Typ N Kanal, 74 A 650 V, 3 Ben, TO-247 Yta
- Infineon, IGBT-krets med enkel transistor, Typ N Kanal, 30 A 650 V, 3 Ben, TO-263 Yta
- Infineon, IGBT-krets med enkel transistor, Typ N Kanal, 60 A 650 V, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- Infineon, IGBT-krets med enkel transistor, Typ N Kanal, 85 A 650 V, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål