Infineon, IGBT-krets med enkel transistor, Typ N Kanal, 25 A 650 V, 3 Ben, TO-220 Genomgående hål

Se alla IGBT:er
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 rör med 50 enheter)*

772,80 kr

(exkl. moms)

966,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Sista RS lager
  • Slutlig(a) 350 enhet(er), redo att levereras
Enheter
Per enhet
Per rör*
50 - 5015,456 kr772,80 kr
100 - 20012,365 kr618,25 kr
250 - 45011,747 kr587,35 kr
500 - 95011,128 kr556,40 kr
1000 +10,667 kr533,35 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
226-6079
Tillv. art.nr:
IKA10N65ET6XKSA2
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

IGBT-krets med enkel transistor

Maximal kontinuerlig kollektorström Ic

25A

Maximal kollektor-emitterspänning Vceo

650V

Maximal effektförlust Pd

32.5W

Kapseltyp

TO-220

Fästetyp

Genomgående hål

Kanaltyp

Typ N

Antal ben

3

Maximal spänning för gate-emitter VGEO

30 V

Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT

1.5V

Minsta arbetsstemperatur

-40°C

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

RoHS

Serie

TrenchStop

Fordonsstandard

Nej

The Infineon IKA10N65ET6 is good thermal performance, especially at higher frequencies and increased design margin and reliability. It is very soft, fast recovery anti-parallel rapid diode.

Very low VCE(sat) 1.5V(typ.)

Maximum junction temperature 175°C

Low gate chargeQG

Pb-free lead platingRoHS compliant

Relaterade länkar