Infineon, IGBT-krets med enkel transistor, Typ N Kanal, 30 A 650 V, 3 Ben, TO-263 Yta

Se alla IGBT:er

Antal (1 rulle med 1000 enheter)*

10 440,00 kr

(exkl. moms)

13 050,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 14 juli 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
1000 +10,44 kr10 440,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
215-6647
Tillv. art.nr:
IKB15N65EH5ATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

IGBT-krets med enkel transistor

Maximal kontinuerlig kollektorström Ic

30A

Maximal kollektor-emitterspänning Vceo

650V

Maximal effektförlust Pd

105W

Kapseltyp

TO-263

Fästetyp

Yta

Kanaltyp

Typ N

Antal ben

3

Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT

1.65V

Minsta arbetsstemperatur

-40°C

Maximal spänning för gate-emitter VGEO

±30 V

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

JEDEC47/20/22

Serie

High Speed Fifth Generation

Fordonsstandard

Nej

The Infineon high speed switching insulated-gate bipolar transistor copacked with full rated current rapid 1 antiparallel diode also has 650v breakdown voltage.

High Efficiency

Low Switching Losses

Increased Reliability

Low Electromagnetic Interference

Relaterade länkar