Infineon AEC-Q101, IGBT-krets med enkel transistor, Typ N Kanal, 60 A 600 V, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- RS-artikelnummer:
- 215-6615
- Tillv. art.nr:
- AIKW30N60CTXKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 2 enheter)*
133,84 kr
(exkl. moms)
167,30 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 136 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | 66,92 kr | 133,84 kr |
| 10 - 18 | 60,20 kr | 120,40 kr |
| 20 - 48 | 56,225 kr | 112,45 kr |
| 50 - 98 | 52,19 kr | 104,38 kr |
| 100 + | 48,16 kr | 96,32 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 215-6615
- Tillv. art.nr:
- AIKW30N60CTXKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Maximal kontinuerlig kollektorström Ic | 60A | |
| Produkttyp | IGBT-krets med enkel transistor | |
| Maximal kollektor-emitterspänning Vceo | 600V | |
| Maximal effektförlust Pd | 187W | |
| Kapseltyp | TO-247 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal spänning för gate-emitter VGEO | 20 V | |
| Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT | 1.5V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 5.21mm | |
| Serie | TrenchStop | |
| Längd | 42mm | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Maximal kontinuerlig kollektorström Ic 60A | ||
Produkttyp IGBT-krets med enkel transistor | ||
Maximal kollektor-emitterspänning Vceo 600V | ||
Maximal effektförlust Pd 187W | ||
Kapseltyp TO-247 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal spänning för gate-emitter VGEO 20 V | ||
Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT 1.5V | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 5.21mm | ||
Serie TrenchStop | ||
Längd 42mm | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
The Infineon insulated-gate bipolar transistor has fieldstop technology with soft fast recovery antiparallel emitter controlled diode.
High Efficiency
Low Switching Losses
Increased Reliability
Low Electromagnetic Interference
Relaterade länkar
- Infineon AEC-Q101, IGBT-krets med enkel transistor, Typ N Kanal, 60 A 600 V, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- Infineon AEC-Q101, IGBT-krets med enkel transistor, Typ N Kanal, 40 A 600 V, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- Infineon AEC-Q101, IGBT-krets med enkel transistor, Typ N Kanal, 80 A 600 V, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- Infineon, IGBT-krets med enkel transistor, Typ N Kanal, 34 A 600 V, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- Infineon, IGBT-krets med enkel transistor, Typ N Kanal, 160 A 600 V, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- Infineon, IGBT-krets med enkel transistor, Typ N Kanal, 53 A 600 V, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- Infineon AEC-Q101, IGBT-krets med enkel transistor, 80 A 650 V, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- Infineon AEC-Q101, IGBT-krets med enkel transistor, 74 A 650 V, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål