STMicroelectronics, IGBT, N Kanal, 40 A 650 V 1 MHz, 3 Ben, TO-220FP Genomgående hål
- RS-artikelnummer:
- 204-9872
- Tillv. art.nr:
- STGF20H65DFB2
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
127,68 kr
(exkl. moms)
159,60 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Sista RS lager
- Slutlig(a) 35 enhet(er), redo att levereras
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 25,536 kr | 127,68 kr |
| 50 - 245 | 22,468 kr | 112,34 kr |
| 250 - 495 | 20,07 kr | 100,35 kr |
| 500 + | 17,226 kr | 86,13 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 204-9872
- Tillv. art.nr:
- STGF20H65DFB2
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Produkttyp | IGBT | |
| Maximal kontinuerlig kollektorström Ic | 40A | |
| Maximal kollektor-emitterspänning Vceo | 650V | |
| Maximal effektförlust Pd | 45W | |
| Kapseltyp | TO-220FP | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Kanaltyp | N | |
| Antal ben | 3 | |
| Switchhastighet | 1MHz | |
| Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT | 2.1V | |
| Maximal spänning för gate-emitter VGEO | 20 V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Bredd | 16.4mm | |
| Höjd | 4.6mm | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Längd | 10.4mm | |
| Serie | STG | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Produkttyp IGBT | ||
Maximal kontinuerlig kollektorström Ic 40A | ||
Maximal kollektor-emitterspänning Vceo 650V | ||
Maximal effektförlust Pd 45W | ||
Kapseltyp TO-220FP | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Kanaltyp N | ||
Antal ben 3 | ||
Switchhastighet 1MHz | ||
Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT 2.1V | ||
Maximal spänning för gate-emitter VGEO 20 V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Bredd 16.4mm | ||
Höjd 4.6mm | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Längd 10.4mm | ||
Serie STG | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
STMicroelectronics IGBT 650 V HB2-serien representerar en utveckling av den avancerade proprietära trench gate-fältstoppstrukturen. HB2 seriens prestanda är optimerad när det gäller ledningsförmåga, tack vare ett bättre VCE(sat) beteende vid låga strömvärden, liksom när det gäller minskad omkopplingsenergi.
Maximal samlingstemperatur: TJ = 175 °C
Låg VCE(sat) = 1,65 V (typ.) vid IC = 20 A
Mycket snabb och mjuk återhämtningsdiod med sampaket
Minimerad slutström
Tight parameterfördelning
Låg värmeresistans
Relaterade länkar
- STMicroelectronics, IGBT, N Kanal, 40 A 650 V 1 MHz, 3 Ben, TO-220FP Genomgående hål
- STMicroelectronics, IGBT, N Kanal, 7 A 600 V 1 MHz, 3 Ben, TO-220FP Genomgående hål
- STMicroelectronics, IGBT, N Kanal, 29 A 600 V 3.8 μs, 3 Ben, TO-220FP Genomgående hål
- STMicroelectronics, IGBT, N Kanal 650 V, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- STMicroelectronics, IGBT, N Kanal 650 V 1 MHz, 3 Ben, TO-3P Genomgående hål
- STMicroelectronics, IGBT, N Kanal, 40 A 650 V, 3 Ben, TO-247 1
- STMicroelectronics, IGBT, N Kanal, 50 A 650 V 1 MHz, 3 Ben, TO-263 Yta
- STMicroelectronics, IGBT, N Kanal, 120 A 650 V, 3 Ben, TO-3P Genomgående hål