STMicroelectronics, IGBT, Typ N Kanal, 50 A 650 V 1 MHz, 3 Ben, TO-263 Yta
- RS-artikelnummer:
- 204-9867
- Tillv. art.nr:
- STGB30H65DFB2
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Antal (1 rulle med 1000 enheter)*
13 428,00 kr
(exkl. moms)
16 785,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 07 december 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 1000 + | 13,428 kr | 13 428,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 204-9867
- Tillv. art.nr:
- STGB30H65DFB2
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Maximal kontinuerlig kollektorström Ic | 50A | |
| Produkttyp | IGBT | |
| Maximal kollektor-emitterspänning Vceo | 650V | |
| Maximal effektförlust Pd | 167W | |
| Kapseltyp | TO-263 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Antal ben | 3 | |
| Switchhastighet | 1MHz | |
| Maximal spänning för gate-emitter VGEO | 20 V | |
| Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT | 2.1V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Längd | 10.4mm | |
| Höjd | 4.6mm | |
| Serie | Trench Gate Field Stop | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Maximal kontinuerlig kollektorström Ic 50A | ||
Produkttyp IGBT | ||
Maximal kollektor-emitterspänning Vceo 650V | ||
Maximal effektförlust Pd 167W | ||
Kapseltyp TO-263 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Antal ben 3 | ||
Switchhastighet 1MHz | ||
Maximal spänning för gate-emitter VGEO 20 V | ||
Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT 2.1V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Längd 10.4mm | ||
Höjd 4.6mm | ||
Serie Trench Gate Field Stop | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
STMicroelectronics IGBT 650 V HB2-serien representerar en utveckling av den avancerade proprietära trench gate-fältstoppstrukturen. HB2 seriens prestanda är optimerad när det gäller ledningsförmåga, tack vare ett bättre VCE(sat) beteende vid låga strömvärden, liksom när det gäller minskad omkopplingsenergi.
Maximal samlingstemperatur: TJ = 175 °C
Låg VCE(sat) = 1,65 V (typ) @ IC = 30 A
Mycket snabb och mjuk återhämtningsdiod med sampaket
Minimerad slutström
Tight parameterfördelning
Relaterade länkar
- STMicroelectronics, IGBT, Typ N Kanal, 50 A 650 V 1 MHz, 3 Ben, TO-263 Yta
- STMicroelectronics, IGBT, Typ N Kanal, 20 A 600 V 1 MHz, 3 Ben, TO-263 Yta
- STMicroelectronics, IGBT, Typ N Kanal 650 V 1 MHz, 3 Ben, TO-3P Genomgående hål
- Infineon, IGBT, Typ N Kanal, 80 A 650 V, 3 Ben, PG-TO-263 Yta
- Infineon, IGBT, Typ N Kanal, 40 A 650 V, 3 Ben, TO-263 Genomgående hål
- Infineon, IGBT, Typ N Kanal, 50 A 650 V, 3 Ben, TO-263 Yta 1
- STMicroelectronics, IGBT, Typ N Kanal 650 V, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- STMicroelectronics AEC-Q101, IGBT, Typ N Kanal, 30 A 420 V 1 MHz, 3 Ben, TO-263 Yta