STMicroelectronics, IGBT, Typ N Kanal, 50 A 650 V 1 MHz, 3 Ben, TO-263 Yta

Se alla IGBT:er

Antal (1 rulle med 1000 enheter)*

13 764,00 kr

(exkl. moms)

17 205,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 06 juli 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
1000 +13,764 kr13 764,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
204-9867
Tillv. art.nr:
STGB30H65DFB2
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

STMicroelectronics

Produkttyp

IGBT

Maximal kontinuerlig kollektorström Ic

50A

Maximal kollektor-emitterspänning Vceo

650V

Maximal effektförlust Pd

167W

Kapseltyp

TO-263

Fästetyp

Yta

Kanaltyp

Typ N

Antal ben

3

Switchhastighet

1MHz

Maximal spänning för gate-emitter VGEO

20 V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT

2.1V

Maximal arbetstemperatur

175°C

Längd

10.4mm

Standarder/godkännanden

No

Bredd

9.35 mm

Serie

Trench Gate Field Stop

Höjd

4.6mm

Fordonsstandard

Nej

COO (ursprungsland):
CN
The STMicroelectronics IGBT 650 V HB2 series represents an evolution of the advanced proprietary trench gate field-stop structure. The performance of the HB2 series is optimized in terms of conduction, thanks to a better VCE(sat) behaviour at low current values, as well as in terms of reduced switching energy.

Maximum junction temperature : TJ = 175 °C

Low VCE(sat) = 1.65 V (typ.) @ IC = 30 A

Very fast and soft recovery co-packaged diode

Minimized tail current

Tight parameter distribution

Relaterade länkar