STMicroelectronics, IGBT, Typ N Kanal, 40 A 650 V 1 MHz, 3 Ben, TO-220FP Genomgående hål

Se alla IGBT:er
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 rör med 50 enheter)*

741,20 kr

(exkl. moms)

926,50 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 03 juli 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rör*
50 - 5014,824 kr741,20 kr
100 - 20014,423 kr721,15 kr
250 - 45014,038 kr701,90 kr
500 - 95013,682 kr684,10 kr
1000 +13,341 kr667,05 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
204-9871
Tillv. art.nr:
STGF20H65DFB2
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

STMicroelectronics

Maximal kontinuerlig kollektorström Ic

40A

Produkttyp

IGBT

Maximal kollektor-emitterspänning Vceo

650V

Maximal effektförlust Pd

45W

Kapseltyp

TO-220FP

Fästetyp

Genomgående hål

Kanaltyp

Typ N

Antal ben

3

Switchhastighet

1MHz

Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT

2.1V

Maximal spänning för gate-emitter VGEO

20 V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal arbetstemperatur

175°C

Höjd

4.6mm

Längd

10.4mm

Serie

STG

Standarder/godkännanden

RoHS

Bredd

16.4 mm

Fordonsstandard

Nej

COO (ursprungsland):
CN
The STMicroelectronics IGBT 650 V HB2 series represents an evolution of the advanced proprietary trench gate field-stop structure. The performance of the HB2 series is optimized in terms of conduction, thanks to a better VCE(sat) behaviour at low current values, as well as in terms of reduced switching energy.

Maximum junction temperature : TJ = 175 °C

Low VCE(sat) = 1.65 V (typ.) @ IC = 20 A

Very fast and soft recovery co-packaged diode

Minimized tail current

Tight parameter distribution

Low thermal resistance

Relaterade länkar