STMicroelectronics, IGBT, Typ N Kanal, 30 A 650 V 1 MHz, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- RS-artikelnummer:
- 202-5515
- Tillv. art.nr:
- STGWA30HP65FB
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 förpackning med 5 enheter)*
133,73 kr
(exkl. moms)
167,16 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 5 enhet(er) från den 24 april 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 5 | 26,746 kr | 133,73 kr |
| 10 + | 22,804 kr | 114,02 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 202-5515
- Tillv. art.nr:
- STGWA30HP65FB
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Produkttyp | IGBT | |
| Maximal kontinuerlig kollektorström Ic | 30A | |
| Maximal kollektor-emitterspänning Vceo | 650V | |
| Maximal effektförlust Pd | 260W | |
| Kapseltyp | TO-247 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Antal ben | 3 | |
| Switchhastighet | 1MHz | |
| Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT | 2V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för gate-emitter VGEO | 20 V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Längd | 15.9mm | |
| Serie | STG | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Höjd | 5.1mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Produkttyp IGBT | ||
Maximal kontinuerlig kollektorström Ic 30A | ||
Maximal kollektor-emitterspänning Vceo 650V | ||
Maximal effektförlust Pd 260W | ||
Kapseltyp TO-247 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Antal ben 3 | ||
Switchhastighet 1MHz | ||
Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT 2V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för gate-emitter VGEO 20 V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Längd 15.9mm | ||
Serie STG | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Höjd 5.1mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
The STMicroelectronics high speed HB series IGBT developed using an advanced proprietary trench gate fieldstop structure. The device is part of the new HB series of IGBTs, which represents an optimum compromise between conduction and switching loss to maximize the efficiency of any frequency converter.
Low thermal resistance
Very fast soft recovery antiparallel diode
Relaterade länkar
- STMicroelectronics Typ N Kanal 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- STMicroelectronics Typ N Kanal 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- STMicroelectronics Typ N Kanal 4 Ben, TO-247 Genomgående hål
- STMicroelectronics Typ N Kanal 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- STMicroelectronics Typ N Kanal 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- STMicroelectronics Typ N Kanal 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- STMicroelectronics Typ N Kanal 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- STMicroelectronics Typ N Kanal 3 Ben, TO-247 Genomgående hål