Infineon MOSFET, MOSFET, 290 mA, 8 Ben 20 V, SOIC
- RS-artikelnummer:
- 226-6199
- Tillv. art.nr:
- IRS2127STRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 förpackning med 10 enheter)*
63,39 kr
(exkl. moms)
79,24 kr
(inkl. moms)
Lägg till 90 enheter för att få fri frakt
I lager
- Dessutom levereras 620 enhet(er) från den 23 februari 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | 6,339 kr | 63,39 kr |
| 50 - 90 | 6,026 kr | 60,26 kr |
| 100 - 240 | 5,902 kr | 59,02 kr |
| 250 - 490 | 5,522 kr | 55,22 kr |
| 500 + | 5,152 kr | 51,52 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 226-6199
- Tillv. art.nr:
- IRS2127STRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Utström | 290mA | |
| Antal ben | 8 | |
| Falltid | 65ns | |
| Kapseltyp | SOIC | |
| Antal utgångar | 5 | |
| Typ av drivsteg | MOSFET | |
| Stigtid | 80ns | |
| Minsta matningsspänning | 20V | |
| Maximal matningsspänning | 20V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 125°C | |
| Längd | 5mm | |
| Höjd | 1.75mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Bredd | 4 mm | |
| Serie | IRS | |
| Fästetyp | Yta | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Utström 290mA | ||
Antal ben 8 | ||
Falltid 65ns | ||
Kapseltyp SOIC | ||
Antal utgångar 5 | ||
Typ av drivsteg MOSFET | ||
Stigtid 80ns | ||
Minsta matningsspänning 20V | ||
Maximal matningsspänning 20V | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Maximal arbetstemperatur 125°C | ||
Längd 5mm | ||
Höjd 1.75mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Bredd 4 mm | ||
Serie IRS | ||
Fästetyp Yta | ||
Fordonsstandard Nej | ||
The Infineon IRS2127 are high voltage, high speed power MOSFET and IGBT driver. Proprietary HVIC and latch immune CMOS technologies enable ruggedized monolithic construction. The logic input is compatible with standard CMOS or LSTTL outputs, down to 3.3 V. The protection circuity detect over-current in the driven power transistor and terminates the gate drive voltage.
Floating channel designed for bootstrap operation
Fully operational to +600 V
Tolerant to negative transient voltage, -dV/dt immune