Infineon MOSFET, Gate-drivare, 290 mA, 8 Ben 20V, SOIC

Denna grinddrivare ger styrning för MOSFET:er i lågspänningssystem och är utformad för ytmonteringstillämpningar. Den drivs med en matningsspänning på 10 V till 20 V och levererar flera utgångskanaler för att driva effekttransistorer. Enheten är avsedd för användning där kompakt grindstyrning med flera utgångar och måttlig strömkapacitet krävs i elektroniska monteringar.

• Fem utgångar ger individuell grinddrivning för MOSFET-arrayer
• 290 mA utgångsström ger tillräcklig drivning för måttliga belastningar
• 65 ns falltid möjliggör snabba avstängningsövergångar
• 80 ns stigtid med stöd för snabbt påslagningsbeteende
• Klassad för drift vid -40 till 125 °C för ett brett temperaturområde

• Lämplig för flerfasmotorstyrkretsar
• Idealisk för gate-drivenheter för switchade strömförsörjningsenheter
• Används med grindarray i belysningsförkopplingsdesigner
• Kan användas för industriella växelriktardriftsteg
• Lämplig för kompakta strömomvandlingsmoduler

Den levereras i ett SOIC-paket som är lämpligt för ytmontering.

Enheten använder en 8-polig konfiguration för ingångs- och utgångsanslutningar.

Maximal drifttemperatur är 125 °C och lägst är -40 °C för val av komponenter.

Matningen måste vara inom 10 V till 20 V för att säkerställa korrekt drift.