Infineon MOSFET, MOSFET 2, 290 mA, 8 Ben 20 V, DSO
- RS-artikelnummer:
- 226-6019
- Tillv. art.nr:
- 2ED2106S06FXUMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Antal (1 rulle med 2500 enheter)*
11 235,00 kr
(exkl. moms)
14 045,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 08 oktober 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 2500 + | 4,494 kr | 11 235,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 226-6019
- Tillv. art.nr:
- 2ED2106S06FXUMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Utström | 290mA | |
| Antal ben | 8 | |
| Kapseltyp | DSO | |
| Falltid | 80ns | |
| Typ av drivsteg | MOSFET | |
| Antal utgångar | 2 | |
| Stigtid | 100ns | |
| Minsta matningsspänning | 20V | |
| Antal drivare | 2 | |
| Maximal matningsspänning | 20V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 125°C | |
| Serie | 2ED2106S06F | |
| Höjd | 1.72mm | |
| Längd | 4.9mm | |
| Bredd | 3.9 mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fästetyp | Yta | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Utström 290mA | ||
Antal ben 8 | ||
Kapseltyp DSO | ||
Falltid 80ns | ||
Typ av drivsteg MOSFET | ||
Antal utgångar 2 | ||
Stigtid 100ns | ||
Minsta matningsspänning 20V | ||
Antal drivare 2 | ||
Maximal matningsspänning 20V | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Maximal arbetstemperatur 125°C | ||
Serie 2ED2106S06F | ||
Höjd 1.72mm | ||
Längd 4.9mm | ||
Bredd 3.9 mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fästetyp Yta | ||
Fordonsstandard Nej | ||
The Infineon 2ED2106S06F is a high voltage, high speed power MOSFET and IGBT driver with independent high and low side referenced output channels. It is based on SOI-technology there is an excellent ruggedness and noise immunity with capability to maintain operational logic at negative voltages of up to - 11 Von VS pin on transient voltage. The output drivers feature a high pulse current buffer stage designed for minimum driver cross-conduction.
Floating channel designed for bootstrap operation
Operating voltages (VS node) upto + 650 V
Maximum bootstrap voltage (VB node) of + 675 V
Integrated ultra-fast, low resistance bootstrap diode