Infineon MOSFET, MOSFET, 290 mA, 8 Ben 600 V, SOIC

Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 10 enheter)*

75,71 kr

(exkl. moms)

94,64 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Lagerinformation är för närvarande otillgänglig - kom tillbaka senare
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
10 - 407,571 kr75,71 kr
50 - 907,19 kr71,90 kr
100 - 2406,877 kr68,77 kr
250 - 4906,586 kr65,86 kr
500 +6,126 kr61,26 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
226-6179
Tillv. art.nr:
IRS2101STRPBF
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

MOSFET

Utström

290mA

Antal ben

8

Falltid

90ns

Kapseltyp

SOIC

Antal utgångar

2

Typ av drivsteg

MOSFET

Stigtid

170ns

Minsta matningsspänning

20V

Maximal matningsspänning

600V

Minsta arbetsstemperatur

-40°C

Maximal arbetstemperatur

125°C

Serie

IRS

Standarder/godkännanden

RoHS Compliant

Höjd

1.75mm

Längd

5mm

Bredd

4 mm

Fästetyp

Yta

Fordonsstandard

Nej

The Infineon IRS2101 is a high voltage, high speed power MOSFET and IGBT driver with independent high-side and low-side referenced output channels. Proprietary HVIC and latch immune CMOS technologies enable ruggedized monolithic construction. The logic input is compatible with standard CMOS or LSTTL output, down to 3.3 V logic

Floating channel designed for bootstrap operation

Fully operational to +600 V

Tolerant to negative transient voltage, dV/dt immune

Gate drive supply range from 10 V to 20 V

Undervoltage lockout

Relaterade länkar