Infineon Gate-drivare, Gate-drivare 2, 290 mA, 8 Ben 20 V, DSO-8
- RS-artikelnummer:
- 258-0605
- Tillv. art.nr:
- 2ED21091S06FXUMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Antal (1 rulle med 2500 enheter)*
15 522,50 kr
(exkl. moms)
19 402,50 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 19 oktober 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 2500 + | 6,209 kr | 15 522,50 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 258-0605
- Tillv. art.nr:
- 2ED21091S06FXUMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | Gate-drivare | |
| Utström | 290mA | |
| Antal ben | 8 | |
| Falltid | 35ns | |
| Kapseltyp | DSO-8 | |
| Typ av drivsteg | Gate-drivare | |
| Stigtid | 100ns | |
| Minsta matningsspänning | 10V | |
| Antal drivare | 2 | |
| Maximal matningsspänning | 20V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 125°C | |
| Serie | 2ED21091S6F | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp Gate-drivare | ||
Utström 290mA | ||
Antal ben 8 | ||
Falltid 35ns | ||
Kapseltyp DSO-8 | ||
Typ av drivsteg Gate-drivare | ||
Stigtid 100ns | ||
Minsta matningsspänning 10V | ||
Antal drivare 2 | ||
Maximal matningsspänning 20V | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Maximal arbetstemperatur 125°C | ||
Serie 2ED21091S6F | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
The Infineon 650 V half-bridge high speed power MOSFET and IGBT gate driver with typical 0.29 source current, and 0.7 sink current in DSO-8 package. Based on Infineon SOI-technology, having excellent ruggedness and noise immunity against negative transient voltages on VS pin. No parasitic thyristor structures present in the device, hence no parasitic latch up at all temperature and voltage conditions.
integrated ultra-fast, low resistance bootstrap diode, lower the BOM cost
Floating channel designed for bootstrap operation
Independent under voltage lockout for both channels
The dual function DT/SD input turns off both channels
Relaterade länkar
- Infineon Gate-drivare, Gate-drivare 2, 290 mA, 8 Ben 20 V, DSO-8
- Infineon Gate-drivare, Gate-drivare 2, 290 mA, 14 Ben 25 V, DSO
- Infineon Gate-drivare, Gate-drivarmodul, 290 mA, 14 Ben 20 V, DSO
- Infineon Gate-drivare, Gate-drivarmodul, 500 mA, 8 Ben, DSO-8
- Infineon MOSFET, MOSFET 2, 290 mA, 8 Ben 20 V, DSO
- Infineon Allmän användning, Drivare för allmän tillämpning 2, 290 mA, 8 Ben 25 V, DSO
- Infineon MOSFET, Höghastighets-MOSFET- och IGBT-drivare 2, 290 mA, 8 Ben 25 V, DSO
- Infineon, Gate-drivare 2, -414.2 mA, 8 Ben 25 V, DSO-8