Infineon MOSFET, MOSFET, 200 mA, 8 Ben 600V, SOIC
- RS-artikelnummer:
- 226-6212
- Tillv. art.nr:
- IRS2301STRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 10 enheter)*
87,47 kr
(exkl. moms)
109,34 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 2 460 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | 8,747 kr | 87,47 kr |
| 50 - 90 | 8,31 kr | 83,10 kr |
| 100 - 240 | 8,142 kr | 81,42 kr |
| 250 - 490 | 7,605 kr | 76,05 kr |
| 500 + | 7,078 kr | 70,78 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 226-6212
- Tillv. art.nr:
- IRS2301STRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Utström | 200mA | |
| Antal ben | 8 | |
| Falltid | 80ns | |
| Kapseltyp | SOIC | |
| Typ av drivsteg | MOSFET | |
| Stigtid | 220ns | |
| Minsta matningsspänning | 20V | |
| Maximal matningsspänning | 600V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Höjd | 1.75mm | |
| Längd | 4.98mm | |
| Serie | IRS | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Utström 200mA | ||
Antal ben 8 | ||
Falltid 80ns | ||
Kapseltyp SOIC | ||
Typ av drivsteg MOSFET | ||
Stigtid 220ns | ||
Minsta matningsspänning 20V | ||
Maximal matningsspänning 600V | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Höjd 1.75mm | ||
Längd 4.98mm | ||
Serie IRS | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Typ av fäste Yta | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineon IRS2301S är en högspännings, höghastighets effekt-MOSFET- och IGBT-drivare med oberoende referensutgångskanal på hög och låg sida. Proprietär HVIC- och låsimmun CMOS-teknik möjliggör robust monolitisk konstruktion. Logikingången är kompatibel med standard CMOS- eller LSTTL-utgång, upp till 3,3 V-logik. Utgångsdrivaren har ett buffertsteg med hög pulsström.
Flytande kanal utformad för bootstrap-drift
Fullt fungerande i +600 V
Tolerant mot negativ transientspänning, dV/dt-immun
Gate-driven strömförsörjningsområde från 5 V till 20 V
Spärr vid underspänning för båda kanalerna
Relaterade länkar
- Infineon MOSFET, MOSFET, 200 mA, 8 Ben 600V, SOIC
- Infineon MOSFET, MOSFET, 290 mA, 8 Ben 600V, SOIC
- Infineon MOSFET, MOSFET, 200 mA, 8 Ben 20 V, SOIC
- Infineon MOSFET, MOSFET, 8 Ben 600V, SOIC
- Infineon Gate-drivare, Höghastighets-MOSFET- och IGBT-drivare 1, 130 mA, 8 Ben 600V, SOIC
- AEC-Q100 Infineon MOSFET, Drivkrets för effekt-MOSFET/IGBT 1, 290 mA, 8 Ben 600V, SOIC
- AEC-Q100 Infineon MOSFET, Gate-drivare 2, 200 mA, 8 Ben 20V, SOIC
- Infineon MOSFET, MOSFET, 290 mA, 8 Ben 20V, SOIC