Infineon Gate-drivare, Gate-drivare, 600 mA, 8 Ben 600 V, SOIC

Mängdrabatt möjlig

Antal (1 rör med 95 enheter)*

1 118,435 kr

(exkl. moms)

1 398,02 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 15 februari 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rör*
95 - 9511,773 kr1 118,44 kr
190 - 38010,596 kr1 006,62 kr
475 +10,008 kr950,76 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
257-5588
Tillv. art.nr:
IRS21091SPBF
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

Gate-drivare

Utström

600mA

Antal ben

8

Falltid

35ns

Kapseltyp

SOIC

Typ av drivsteg

Gate-drivare

Stigtid

220ns

Minsta matningsspänning

10V

Maximal matningsspänning

600V

Minsta arbetsstemperatur

-50°C

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

RoHS

Serie

IRS

Fordonsstandard

Nej

The Infineon half bridge driver are high voltage, high speed power MOSFET and IGBT driver with dependent high- and low-side referenced output channels. Proprietary HVIC and latch immune CMOS technologies enable ruggedized monolithic construction. The logic input is compatible with standard CMOS or LSTTL output, down to 3.3 V logic. The output drivers feature a high pulse current buffer stage designed for minimum driver cross-conduction. The floating channel can be used to drive an N-channel power MOSFET or IGBT in the high-side configuration which operates up to 600 V.

Floating channel designed for bootstrap operation

Fully operational to +600 V

Tolerant to negative transient voltage, dV/dt immune

Under voltage lockout for both channels

Cross-conduction prevention logic

Matched propagation delay for both channels

High-side output in phase with IN input

Lower di/dt gate driver for better noise immunity

The dual function DT/SD input turns off both channels

Relaterade länkar