AEC-Q100 Infineon MOSFET, Drivkrets för effekt-MOSFET/IGBT 1, 290 mA, 8 Ben 600 V, SOIC

Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 5 enheter)*

161,95 kr

(exkl. moms)

202,45 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 4 980 enhet(er) från den 03 mars 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
5 - 2032,39 kr161,95 kr
25 - 4527,508 kr137,54 kr
50 - 12025,58 kr127,90 kr
125 - 24523,924 kr119,62 kr
250 +22,02 kr110,10 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
223-8462
Tillv. art.nr:
AUIRS21271STR
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

Drivkrets för effekt-MOSFET/IGBT

Utström

290mA

Antal ben

8

Falltid

65ns

Kapseltyp

SOIC

Antal utgångar

1

Typ av drivsteg

MOSFET

Stigtid

200ns

Minsta matningsspänning

9V

Maximal matningsspänning

600V

Antal drivare

1

Minsta arbetsstemperatur

-40°C

Maximal arbetstemperatur

125°C

Standarder/godkännanden

RoHS, Lead-Free

Höjd

1.75mm

Längd

5mm

Bredd

4 mm

Fästetyp

Yta

Fordonsstandard

AEC-Q100

The Infineon AUIRS2127 series are high voltage, high speed power MOSFET and IGBT drivers. Proprietary HVIC and latch immune CMOS technologies enable ruggedized monolithic construction. The logic input is compatible with standard CMOS or LSTTL outputs.

FAULT lead indicates shutdown has occurred

Floating channel designed for bootstrap operation

Output in phase with input

Lead-free

RoHS compliant

Automotive qualified

Relaterade länkar