AEC-Q100 Infineon MOSFET, Drivkrets för effekt-MOSFET/IGBT 1, 290 mA, 8 Ben 600V, SOIC
- RS-artikelnummer:
- 223-8462
- Tillv. art.nr:
- AUIRS21271STR
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
174,72 kr
(exkl. moms)
218,40 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 4 975 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 34,944 kr | 174,72 kr |
| 25 - 45 | 29,68 kr | 148,40 kr |
| 50 - 120 | 27,596 kr | 137,98 kr |
| 125 - 245 | 25,804 kr | 129,02 kr |
| 250 + | 23,766 kr | 118,83 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 223-8462
- Tillv. art.nr:
- AUIRS21271STR
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | Drivkrets för effekt-MOSFET/IGBT | |
| Utström | 290mA | |
| Antal ben | 8 | |
| Falltid | 65ns | |
| Kapseltyp | SOIC | |
| Typ av drivsteg | MOSFET | |
| Stigtid | 200ns | |
| Minsta matningsspänning | 9V | |
| Antal drivare | 1 | |
| Maximal matningsspänning | 600V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 125°C | |
| Höjd | 1.75mm | |
| Längd | 5mm | |
| Standarder/godkännanden | RoHS, Lead-Free | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Fordonsstandard | AEC-Q100 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp Drivkrets för effekt-MOSFET/IGBT | ||
Utström 290mA | ||
Antal ben 8 | ||
Falltid 65ns | ||
Kapseltyp SOIC | ||
Typ av drivsteg MOSFET | ||
Stigtid 200ns | ||
Minsta matningsspänning 9V | ||
Antal drivare 1 | ||
Maximal matningsspänning 600V | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Maximal arbetstemperatur 125°C | ||
Höjd 1.75mm | ||
Längd 5mm | ||
Standarder/godkännanden RoHS, Lead-Free | ||
Typ av fäste Yta | ||
Fordonsstandard AEC-Q100 | ||
Infineons AUIRS2127-serie är högspännings-, höghastighets-Effekt-MOSFET- och IGBT-drivkretsar. Proprietär HVIC- och låsimmun CMOS-teknik möjliggör robust monolitisk konstruktion. Logisk ingång är kompatibel med standard CMOS- eller LSTTL-utgångar.
FAULT-ledningen indikerar att avstängning har inträffat
Flytande kanal utformad för bootstrap-drift
Utgång i fas med ingång
Blyfri
RoHS-kompatibel
Godkänd för fordonsindustrin
Relaterade länkar
- AEC-Q100 Infineon MOSFET, Drivkrets för effekt-MOSFET/IGBT 1, 290 mA, 8 Ben 600V, SOIC
- Infineon MOSFET, Drivkrets för effekt-MOSFET/IGBT, 3 A, 16 Ben 200V, SOIC
- Infineon MOSFET, MOSFET- och IGBT-drivkrets 2, 0.35 A, 14 Ben 20V, SOIC
- Infineon MOSFET, MOSFET- och IGBT-drivkrets, 360 mA, 8 Ben 600 V, SOIC
- Microchip MOSFET, Drivkrets för effekt-MOSFET 2, 4.5 A, 8 Ben 18V, SOIC
- Infineon MOSFET, Höghastighets-MOSFET- och IGBT-drivare 2, 290 mA, 8 Ben 25V, DSO
- Infineon MOSFET, MOSFET, 290 mA, 8 Ben 600V, SOIC
- AEC-Q100 STMicroelectronics Drivkrets för effekt-MOSFET, 64 Ben Låg sida/hög sida L98GD TQFP