AEC-Q100 Infineon MOSFET, Drivkrets för effekt-MOSFET/IGBT 1, 290 mA, 8 Ben 600V, SOIC

Se alla Gate-drivare
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal (1 förpackning med 5 enheter)*

161,95 kr

(exkl. moms)

202,45 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 4 975 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
Per förpackning*
5 - 2032,39 kr161,95 kr
25 - 4527,508 kr137,54 kr
50 - 12025,58 kr127,90 kr
125 - 24523,924 kr119,62 kr
250 +22,02 kr110,10 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
223-8462
Tillv. art.nr:
AUIRS21271STR
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

Drivkrets för effekt-MOSFET/IGBT

Utström

290mA

Antal ben

8

Kapseltyp

SOIC

Falltid

65ns

Typ av drivsteg

MOSFET

Stigtid

200ns

Minsta matningsspänning

9V

Antal drivare

1

Maximal matningsspänning

600V

Minsta arbetsstemperatur

-40°C

Maximal arbetstemperatur

125°C

Höjd

1.75mm

Längd

5mm

Standarder/godkännanden

RoHS, Lead-Free

Typ av fäste

Yta

Fordonsstandard

AEC-Q100

Infineons AUIRS2127-serie är högspännings-, höghastighets-Effekt-MOSFET- och IGBT-drivkretsar. Proprietär HVIC- och låsimmun CMOS-teknik möjliggör robust monolitisk konstruktion. Logisk ingång är kompatibel med standard CMOS- eller LSTTL-utgångar.

FAULT-ledningen indikerar att avstängning har inträffat

Flytande kanal utformad för bootstrap-drift

Utgång i fas med ingång

Blyfri

RoHS-kompatibel

Godkänd för fordonsindustrin

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.