Infineon MOSFET, Drivkrets för effekt-MOSFET/IGBT, 3 A, 16 Ben 200V, SOIC

Denna effekt-MOSFET- och IGBT-drivkrets är en grinddrivkrets med två kanaler som är utformad för att driva effekt-MOSFET och IGBT i högspänningsomkopplingstillämpningar. Den fungerar inom industriella extrema temperaturer och stöder användning i ytmonterade enheter, vilket ger kontrollerade grinddrivarströmmar och snabb omkopplingsprestanda för kraftelektroniksystem.

• Dubbla utgångar ger 3 A toppström för snabbare omkoppling
• Minsta strömförsörjning på 10 V möjliggör drift från vanliga grindskenor
• 10 ns stigtid minskar övergångsförluster under påslagning
• 25 ns falltidgränser för omkopplingsspänning på transistorer
• Maximal strömförsörjning på 200 V ger högspänningsgrinddrivarkapacitet
• 16-stifts SOIC-paket möjliggör kompakt ytmontering

• Lämplig för grindstyrning i växelriktareffektsteg
• Idealisk för styrning av högspänningsomkopplare i omvandlare
• Används med diskreta MOSFET-arrayer i motordrivkretsar
• Kan användas för IGBT-grindstyrning i nätaggregat
• Lämpligt för kompakta ytmonterade strömmoduler

Den fungerar i ett brett omgivningsområde från -55 °C till 150 °C, vilket stöder användning i termiskt krävande miljöer.

Enheten levereras i ett 16-stifts SOIC-paket avsett för ytmonterad montering på kretskort.

Arrangemanget med 16 stift ger separata stift för dubbla utgångar och styringångar, vilket förenklar routing för isolerade grindsignaler.

Komponenten har en total höjd på 2,65 mm, vilket bör beaktas vid planering av komponentstapling och kapslingsavstånd.