Infineon MOSFET, Drivkrets för effekt-MOSFET/IGBT, 3 A, 16 Ben 200 V, SOIC
- RS-artikelnummer:
- 226-6148
- Tillv. art.nr:
- IR2010STRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
163,30 kr
(exkl. moms)
204,10 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 30 enhet(er) från den 02 juni 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 32,66 kr | 163,30 kr |
| 25 - 45 | 27,776 kr | 138,88 kr |
| 50 - 120 | 26,164 kr | 130,82 kr |
| 125 - 245 | 24,192 kr | 120,96 kr |
| 250 + | 22,556 kr | 112,78 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 226-6148
- Tillv. art.nr:
- IR2010STRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | Drivkrets för effekt-MOSFET/IGBT | |
| Utström | 3A | |
| Antal ben | 16 | |
| Falltid | 25ns | |
| Kapseltyp | SOIC | |
| Typ av drivsteg | MOSFET | |
| Stigtid | 10ns | |
| Minsta matningsspänning | 20V | |
| Maximal matningsspänning | 200V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 10.5mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Serie | IR2010(S)PBF | |
| Höjd | 2.65mm | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp Drivkrets för effekt-MOSFET/IGBT | ||
Utström 3A | ||
Antal ben 16 | ||
Falltid 25ns | ||
Kapseltyp SOIC | ||
Typ av drivsteg MOSFET | ||
Stigtid 10ns | ||
Minsta matningsspänning 20V | ||
Maximal matningsspänning 200V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 10.5mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Serie IR2010(S)PBF | ||
Höjd 2.65mm | ||
Typ av fäste Yta | ||
Fordonsstandard Nej | ||
The Infineon IR2010 is a high power, high voltage, high speed power MOSFET and IGBT driver with independent high and low side referenced output channel. Logic inputs are compatible with standard CMOS or LSTTL output, down to 3.0V logic. The output driver feature a high pulse current buffer stage designed for minimum driver cross-conduction. Propagation delay are matched to simplify use in high frequency application.
Tolerant to negative transient voltage, dV/dt immune
Gate drive supply range from 10 to 20V
Undervoltage lockout for both channel
Fully operational to 200V
Relaterade länkar
- Infineon MOSFET, Drivkrets för effekt-MOSFET/IGBT, 3 A, 16 Ben 200 V, SOIC
- AEC-Q100 Infineon MOSFET, Drivkrets för effekt-MOSFET/IGBT 1, 290 mA, 8 Ben 600 V, SOIC
- Infineon MOSFET, MOSFET- och IGBT-drivkrets, 360 mA, 8 Ben 600 V, SOIC
- Infineon MOSFET, MOSFET- och IGBT-drivkrets 2, 0.35 A, 14 Ben 20 V, SOIC
- Microchip MOSFET, Drivkrets för effekt-MOSFET 2, 4.5 A, 8 Ben 18 V, SOIC
- Infineon MOSFET, MOSFET- och IGBT-drivkrets 2, 0.5 A, 8 Ben 20 V, PDIP
- Infineon MOSFET, Höghastighets-MOSFET- och IGBT-drivare, 2 A, 16 Ben 1225 V, SOIC
- Infineon Gate-drivare, Höghastighets-MOSFET- och IGBT-drivare 1, 130 mA, 8 Ben 600 V, SOIC