Infineon MOSFET, Drivkrets för effekt-MOSFET/IGBT, 3 A, 16 Ben 200V, SOIC
- RS-artikelnummer:
- 226-6148
- Tillv. art.nr:
- IR2010STRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
163,30 kr
(exkl. moms)
204,10 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 30 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 32,66 kr | 163,30 kr |
| 25 - 45 | 27,776 kr | 138,88 kr |
| 50 - 120 | 26,164 kr | 130,82 kr |
| 125 - 245 | 24,192 kr | 120,96 kr |
| 250 + | 22,556 kr | 112,78 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 226-6148
- Tillv. art.nr:
- IR2010STRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | Drivkrets för effekt-MOSFET/IGBT | |
| Utström | 3A | |
| Antal ben | 16 | |
| Kapseltyp | SOIC | |
| Falltid | 25ns | |
| Typ av drivsteg | MOSFET | |
| Stigtid | 10ns | |
| Minsta matningsspänning | 20V | |
| Maximal matningsspänning | 200V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Höjd | 2.65mm | |
| Längd | 10.5mm | |
| Serie | IR2010(S)PBF | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp Drivkrets för effekt-MOSFET/IGBT | ||
Utström 3A | ||
Antal ben 16 | ||
Kapseltyp SOIC | ||
Falltid 25ns | ||
Typ av drivsteg MOSFET | ||
Stigtid 10ns | ||
Minsta matningsspänning 20V | ||
Maximal matningsspänning 200V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Höjd 2.65mm | ||
Längd 10.5mm | ||
Serie IR2010(S)PBF | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Typ av fäste Yta | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineon IR2010 är en högeffekts, högspänning, höghastighets effekt-MOSFET- och IGBT-drivare med oberoende referensutgångskanal på hög och låg sida. Logiska ingångar är kompatibla med standard CMOS- eller LSTTL-utgång, ned till 3, 0 V-logik. Utgångsdrivaren har ett buffertsteg med hög pulsström som är utformat för minimal korsning av drivaren. Utbredningsfördröjning är matchade för att förenkla användningen i högfrekvenstillämpningar.
Tolerant mot negativ transientspänning, dV/dt-immun
Strömförsörjningsområde för grinddrivning från 10 till 20 V
Spärr vid underspänning för båda kanalerna
Helt funktionsduglig till 200 V
Relaterade länkar
- Infineon MOSFET, Drivkrets för effekt-MOSFET/IGBT, 3 A, 16 Ben 200 V, SOIC
- AEC-Q100 Infineon MOSFET, Drivkrets för effekt-MOSFET/IGBT 1, 290 mA, 8 Ben 600 V, SOIC
- Infineon MOSFET, MOSFET- och IGBT-drivkrets, 360 mA, 8 Ben 600 V, SOIC
- Infineon MOSFET, MOSFET- och IGBT-drivkrets 2, 0.35 A, 14 Ben 20 V, SOIC
- Microchip MOSFET, Drivkrets för effekt-MOSFET 2, 4.5 A, 8 Ben 18 V, SOIC
- Infineon MOSFET, MOSFET- och IGBT-drivkrets 2, 0.5 A, 8 Ben 20 V, PDIP
- Infineon MOSFET, Höghastighets-MOSFET- och IGBT-drivare, 2 A, 16 Ben 1225 V, SOIC
- Infineon Gate-drivare, Höghastighets-MOSFET- och IGBT-drivare 1, 130 mA, 8 Ben 600 V, SOIC