Infineon MOSFET, Höghastighets-MOSFET- och IGBT-drivare 2, 290 mA, 8 Ben 25V, DSO

Se alla Gate-drivare

Antal (1 rulle med 2500 enheter)*

16 307,50 kr

(exkl. moms)

20 385,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 09 april 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
2500 +6,523 kr16 307,50 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
226-6021
Tillv. art.nr:
2ED2109S06FXUMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

Höghastighets-MOSFET- och IGBT-drivare

Utström

290mA

Antal ben

8

Kapseltyp

DSO

Falltid

80ns

Antal utgångar

2

Typ av drivsteg

MOSFET

Stigtid

150ns

Minsta matningsspänning

20V

Antal drivare

2

Maximal matningsspänning

25V

Minsta arbetsstemperatur

-40°C

Maximal arbetstemperatur

125°C

Serie

2ED2109 (4) S06F (J)

Bredd

3.9mm

Standarder/godkännanden

JEDEC47/20/22

Höjd

1.72mm

Längd

4.9mm

Typ av fäste

Yta

Fordonsstandard

Nej

Infineon 2ED2109S06F är en högspännings, höghastighets effekt-MOSFET- och IGBT-drivare med oberoende referensutgångskanaler för hög och låg sida. Den är baserad på SOI-teknik där det finns en utmärkt robusthet och brusimmunitet med möjlighet att bibehålla driftslogik vid negativa spänningar på upp till - 11 Von VS-stift på transientspänning. Utgångsdrivarna har ett buffertsteg med hög pulsström som är utformat för minimal korsning av drivaren.

Flytande kanal utformad för bootstrap-drift

Driftspänningar (VS-nod) upp till + 650 V

Maximal bootstrap-spänning (VB-nod) på + 675 V

Integrerad ultrasnabb bootstrap-diod med lågt motstånd

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.