Infineon Gate-drivare, Höghastighets-MOSFET- och IGBT-drivare 1, 130 mA, 8 Ben 600 V, SOIC

Antal (1 förpackning med 20 enheter)*

136,38 kr

(exkl. moms)

170,48 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 1 880 enhet(er) från den 02 mars 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
20 +6,819 kr136,38 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
217-7193
Tillv. art.nr:
IR25602STRPBF
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

Höghastighets-MOSFET- och IGBT-drivare

Utström

130mA

Antal ben

8

Falltid

90ns

Kapseltyp

SOIC

Typ av drivsteg

Gate-drivare

Antal utgångar

2

Stigtid

170ns

Minsta matningsspänning

10V

Antal drivare

1

Maximal matningsspänning

600V

Minsta arbetsstemperatur

-40°C

Maximal arbetstemperatur

150°C

Längd

5mm

Bredd

4 mm

Standarder/godkännanden

JEDEC JESD 47

Höjd

1.75mm

Serie

IR25602

Fästetyp

Yta

Fordonsstandard

Nej

The Infineon 600 V half bridge driver IC with typical 0.21 A source and 0.36 A sink currents in 8 Lead SOIC package for IGBTs and MOSFETs.

Floating channel designed for bootstrap operation

Fully operational to +600 V

Tolerant to negative transient voltage

dV/dt immune

Gate drive supply range from 10 to 20 V

Under voltage lockout

3.3 V, 5 V and 15 V input logic compatible

Cross-conduction prevention logic

Internally set dead-time

High side output in phase with input

Shut down input turns off both channels

Matched propagation delay for both channels

Relaterade länkar