Infineon Gate-drivare, Höghastighets-MOSFET- och IGBT-drivare 1, 130 mA, 8 Ben 600V, SOIC

Se alla Gate-drivare

Antal (1 förpackning med 20 enheter)*

136,38 kr

(exkl. moms)

170,48 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 1 840 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
20 +6,819 kr136,38 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
217-7193
Tillv. art.nr:
IR25602STRPBF
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

Höghastighets-MOSFET- och IGBT-drivare

Utström

130mA

Antal ben

8

Falltid

90ns

Kapseltyp

SOIC

Typ av drivsteg

Gate-drivare

Stigtid

170ns

Minsta matningsspänning

10V

Maximal matningsspänning

600V

Antal drivare

1

Minsta arbetsstemperatur

-40°C

Maximal arbetstemperatur

150°C

Höjd

1.75mm

Längd

5mm

Serie

IR25602

Standarder/godkännanden

JEDEC JESD 47

Typ av fäste

Yta

Fordonsstandard

Nej

Infineons 600 V halvbrygga drivkrets IC med typiska 0,21 A källströmmar och 0,36 A sänkströmmar i 8-ledars SOIC-paket för IGBT- och MOSFET-enheter.

Flytande kanal utformad för bootstrap-drift

Fullt fungerande i +600 V

Tolerant mot negativ transientspänning

dV/dt-immun

Gate-driven strömförsörjningsområde från 10 till 20 V

Spärr vid underspänning

Kompatibel med 3,3 V, 5 V och 15 V ingångslogik

Logik för att förhindra korskoppling

Internt inställd dödtid

Utgång på hög sida i fas med ingång

Avstängningsingång stänger av båda kanalerna

Matchande propagationsfördröjning för båda kanalerna

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.