Infineon MOSFET, Höghastighets-MOSFET- och IGBT-drivare, 2 A, 16 Ben 1225V, SOIC
- RS-artikelnummer:
- 226-6159
- Tillv. art.nr:
- IR2213STRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 2 enheter)*
123,87 kr
(exkl. moms)
154,838 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 25 november 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | 61,935 kr | 123,87 kr |
| 10 - 18 | 55,775 kr | 111,55 kr |
| 20 - 48 | 52,695 kr | 105,39 kr |
| 50 - 98 | 48,945 kr | 97,89 kr |
| 100 + | 45,25 kr | 90,50 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 226-6159
- Tillv. art.nr:
- IR2213STRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | Höghastighets-MOSFET- och IGBT-drivare | |
| Utström | 2A | |
| Antal ben | 16 | |
| Kapseltyp | SOIC | |
| Falltid | 17ns | |
| Typ av drivsteg | MOSFET | |
| Stigtid | 25ns | |
| Minsta matningsspänning | 20V | |
| Maximal matningsspänning | 1225V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 125°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 10.5mm | |
| Serie | IR2213(S)PBF | |
| Höjd | 2.65mm | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp Höghastighets-MOSFET- och IGBT-drivare | ||
Utström 2A | ||
Antal ben 16 | ||
Kapseltyp SOIC | ||
Falltid 17ns | ||
Typ av drivsteg MOSFET | ||
Stigtid 25ns | ||
Minsta matningsspänning 20V | ||
Maximal matningsspänning 1225V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 125°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 10.5mm | ||
Serie IR2213(S)PBF | ||
Höjd 2.65mm | ||
Typ av fäste Yta | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineon IR2213(S) är en högspännings, höghastighets effekt-MOSFET- och IGBT-drivare med oberoende referensutgångskanaler för hög och låg sida. Proprietär HVIC- och låsimmun CMOS-teknik möjliggör robust monolitisk konstruktion. Logiska ingångar är kompatibla med standard CMOS- eller LSTTL-utgångar, ned till 3,3 V-logik.
Flytande kanal utformad för bootstrap-drift
Fullt fungerande i +1200 V
Tolerant mot negativ transientspänning dV/dt immun
Gate-driven strömförsörjningsområde från 12 V till 20 V
Relaterade länkar
- Infineon MOSFET, Höghastighets-MOSFET- och IGBT-drivare, 2 A, 16 Ben 1225 V, SOIC
- Infineon Gate-drivare, Höghastighets-MOSFET- och IGBT-drivare 1, 130 mA, 8 Ben 600 V, SOIC
- Infineon MOSFET, Höghastighets-MOSFET- och IGBT-drivare 2, 290 mA, 8 Ben 25 V, DSO
- Infineon MOSFET, Drivkrets för effekt-MOSFET/IGBT, 3 A, 16 Ben 200 V, SOIC
- Infineon MOSFET, MOSFET- och IGBT-drivkrets, 360 mA, 8 Ben 600 V, SOIC
- Infineon MOSFET, MOSFET- och IGBT-drivkrets 2, 0.35 A, 14 Ben 20 V, SOIC
- Infineon MOSFET, IGBT-modul 1, 500 mA, 8 Ben 20 V, SOIC
- AEC-Q100 Infineon MOSFET, Drivkrets för effekt-MOSFET/IGBT 1, 290 mA, 8 Ben 600 V, SOIC
