IXYS Single GigaMOS, HiperFET 1 Type N-Channel MOSFET, 132 A, 250 V Enhancement, 24-Pin SMPD MMIX1F180N25T

Se alla MOSFETs
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 enhet)*

504,58 kr

(exkl. moms)

630,72 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 10 augusti 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
1 - 4504,58 kr
5 - 9411,38 kr
10 - 19400,06 kr
20 - 39387,52 kr
40 +377,89 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
875-2481
Tillv. art.nr:
MMIX1F180N25T
Tillverkare / varumärke:
IXYS
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

IXYS

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

132A

Maximum Drain Source Voltage Vds

250V

Package Type

SMPD

Series

GigaMOS, HiperFET

Mount Type

Surface Mount

Pin Count

24

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

570W

Forward Voltage Vf

1.3V

Transistor Configuration

Single

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

5.7mm

Length

25.25mm

Width

23.25 mm

Number of Elements per Chip

1

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ GigaMOS™ Series


MOSFET Transistors, IXYS


A wide range of Advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

relaterade länkar