IXYS GigaMOS TrenchT2 HiperFET Type N-Channel MOSFET, 310 A, 150 V Enhancement, 4-Pin SOT-227

Se alla MOSFETs

Antal (1 rör med 10 enheter)*

5 425,84 kr

(exkl. moms)

6 782,30 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 70 enhet(er) från den 05 januari 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per Rør*
10 +542,584 kr5 425,84 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
168-4578
Tillv. art.nr:
IXFN360N15T2
Tillverkare / varumärke:
IXYS
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

IXYS

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

310A

Maximum Drain Source Voltage Vds

150V

Series

GigaMOS TrenchT2 HiperFET

Package Type

SOT-227

Mount Type

Surface

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

4mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

715nC

Forward Voltage Vf

1.2V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

1.07kW

Maximum Operating Temperature

175°C

Length

38.23mm

Standards/Approvals

No

Height

9.6mm

Width

25.07 mm

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
PH

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ GigaMOS™ Series


MOSFET Transistors, IXYS


A wide range of Advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

relaterade länkar