IXYS Single GigaMOS, HiperFET 1 Type N-Channel MOSFET, 132 A, 250 V Enhancement, 24-Pin SMPD MMIX1F180N25T

Se alla MOSFETs

Antal (1 rör med 20 enheter)*

8 979,94 kr

(exkl. moms)

11 224,92 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 23 juli 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per Rør*
20 +448,997 kr8 979,94 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
146-1770
Tillv. art.nr:
MMIX1F180N25T
Tillverkare / varumärke:
IXYS
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

IXYS

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

132A

Maximum Drain Source Voltage Vds

250V

Series

GigaMOS, HiperFET

Package Type

SMPD

Mount Type

Surface Mount

Pin Count

24

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.3V

Maximum Power Dissipation Pd

570W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Transistor Configuration

Single

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

5.7mm

Width

23.25 mm

Length

25.25mm

Number of Elements per Chip

1

COO (Country of Origin):
DE

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ GigaMOS™ Series


MOSFET Transistors, IXYS


A wide range of Advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

relaterade länkar