IXYS GigaMOS TrenchT2 HiperFET Type N-Channel MOSFET, 310 A, 150 V Enhancement, 4-Pin SOT-227 IXFN360N15T2

Se alla MOSFETs
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 enhet)*

598,83 kr

(exkl. moms)

748,54 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 1 enhet(er) är redo att levereras
  • Dessutom levereras 77 enhet(er) från den 06 januari 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
1 - 1598,83 kr
2 - 4586,88 kr
5 +568,96 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
125-8042
Distrelec artikelnummer:
302-53-371
Tillv. art.nr:
IXFN360N15T2
Tillverkare / varumärke:
IXYS
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

IXYS

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

310A

Maximum Drain Source Voltage Vds

150V

Package Type

SOT-227

Series

GigaMOS TrenchT2 HiperFET

Mount Type

Surface

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

4mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.2V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

1.07kW

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

715nC

Maximum Operating Temperature

175°C

Length

38.23mm

Width

25.07 mm

Standards/Approvals

No

Height

9.6mm

Distrelec Product Id

30253371

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
PH

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ GigaMOS™ Series


MOSFET Transistors, IXYS


A wide range of Advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

relaterade länkar