IXYS GigaMOS Trench HiperFET Type N-Channel MOSFET, 360 A, 100 V Enhancement, 4-Pin SOT-227 IXFN360N10T

Se alla MOSFETs
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 enhet)*

344,58 kr

(exkl. moms)

430,72 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 24 enhet(er) är redo att levereras
  • Plus 5 enhet(er) är redo att levereras från en annan plats
  • Dessutom levereras 1 245 enhet(er) från den 23 januari 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
1 - 1344,58 kr
2 - 4310,58 kr
5 - 9296,24 kr
10 - 19286,05 kr
20 +280,45 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
125-8041
Distrelec artikelnummer:
302-53-370
Tillv. art.nr:
IXFN360N10T
Tillverkare / varumärke:
IXYS
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

IXYS

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

360A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Series

GigaMOS Trench HiperFET

Package Type

SOT-227

Mount Type

Surface

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

2.6mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

525nC

Maximum Power Dissipation Pd

830W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Operating Temperature

175°C

Length

38.23mm

Standards/Approvals

No

Width

25.07 mm

Height

9.6mm

Automotive Standard

No

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ GigaMOS™ Series


MOSFET Transistors, IXYS


A wide range of Advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

relaterade länkar