IXYS GigaMOS Trench HiperFET Type N-Channel MOSFET, 360 A, 100 V Enhancement, 4-Pin SOT-227

Se alla MOSFETs

Antal (1 rör med 10 enheter)*

3 036,32 kr

(exkl. moms)

3 795,40 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • 1 240 enhet(er) levereras från den 29 december 2025
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per Rør*
10 +303,632 kr3 036,32 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
168-4577
Tillv. art.nr:
IXFN360N10T
Tillverkare / varumärke:
IXYS
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

IXYS

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

360A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Package Type

SOT-227

Series

GigaMOS Trench HiperFET

Mount Type

Surface

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

2.6mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.2V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

830W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

525nC

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

No

Length

38.23mm

Height

9.6mm

Width

25.07 mm

Automotive Standard

No

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ GigaMOS™ Series


MOSFET Transistors, IXYS


A wide range of Advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

relaterade länkar