Vishay Si9407BDY Type P-Channel TrenchFET Power MOSFET, 4.7 A, 60 V Enhancement, 8-Pin SOIC SI9407BDY-T1-GE3

Se alla MOSFETs
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 20 enheter)*

206,42 kr

(exkl. moms)

258,02 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Sista RS lager
  • Slutlig(a) 1 340 enhet(er), redo att levereras
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
20 - 8010,321 kr206,42 kr
100 - 1807,84 kr156,80 kr
200 - 4807,224 kr144,48 kr
500 - 9805,679 kr113,58 kr
1000 +5,371 kr107,42 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
818-1444
Tillv. art.nr:
SI9407BDY-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Vishay

Product Type

TrenchFET Power MOSFET

Channel Type

Type P

Maximum Continuous Drain Current Id

4.7A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Series

Si9407BDY

Package Type

SOIC

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.12Ω

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

8nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±20 V

Forward Voltage Vf

-0.8V

Maximum Power Dissipation Pd

5W

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

4 mm

Length

5mm

Standards/Approvals

IEC 61249-2-21, RoHS 2002/95/EC

Height

1.55mm

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
CN

P-Channel MOSFET, 30V to 80V, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


relaterade länkar