Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 8 A 12 V Förbättring, 6 Ben, TSOP, TrenchFET

Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 20 enheter)*

104,38 kr

(exkl. moms)

130,48 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 02 april 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
20 - 1805,219 kr104,38 kr
200 - 4804,906 kr98,12 kr
500 - 9804,693 kr93,86 kr
1000 - 19804,167 kr83,34 kr
2000 +3,92 kr78,40 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
812-3160
Tillv. art.nr:
SI3477DV-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Vishay

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ P

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

8A

Maximal källspänning för dränering Vds

12V

Kapseltyp

TSOP

Serie

TrenchFET

Typ av fäste

Yta

Antal ben

6

Maximal drain-källresistans Rds

33mΩ

Kanalläge

Förbättring

Framåtriktad spänning Vf

-0.8V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

58nC

Maximal effektförlust Pd

4.2W

Maximal arbetstemperatur

150°C

Höjd

1mm

Längd

3.1mm

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

Nej

COO (ursprungsland):
CN

P-Channel MOSFET, TrenchFET Gen III, Vishay Semiconductor


MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor


Relaterade länkar