Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET, 8 A, 12 V Enhancement, 6-Pin TSOP SI3477DV-T1-GE3

Se alla MOSFETs
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 20 enheter)*

104,38 kr

(exkl. moms)

130,48 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 01 juni 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
20 - 1805,219 kr104,38 kr
200 - 4804,906 kr98,12 kr
500 - 9804,693 kr93,86 kr
1000 - 19804,167 kr83,34 kr
2000 +3,92 kr78,40 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
812-3160
Tillv. art.nr:
SI3477DV-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type P

Maximum Continuous Drain Current Id

8A

Maximum Drain Source Voltage Vds

12V

Series

TrenchFET

Package Type

TSOP

Mount Type

Surface

Pin Count

6

Maximum Drain Source Resistance Rds

33mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

10 V

Forward Voltage Vf

-0.8V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

4.2W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

58nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

3.1mm

Width

1.7 mm

Height

1mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
CN

P-Channel MOSFET, TrenchFET Gen III, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


relaterade länkar