Vishay Si2304DDS Type N-Channel MOSFET, 3.6 A, 30 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SI2304DDS-T1-GE3

Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 50 enheter)*

141,90 kr

(exkl. moms)

177,40 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 100 enhet(er) från den 05 januari 2026
  • Dessutom levereras 3 050 enhet(er) från den 12 januari 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
50 - 4502,838 kr141,90 kr
500 - 12001,989 kr99,45 kr
1250 - 24501,561 kr78,05 kr
2500 - 49501,42 kr71,00 kr
5000 +1,277 kr63,85 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
812-3117
Tillv. art.nr:
SI2304DDS-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

3.6A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Series

Si2304DDS

Package Type

SOT-23

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

75mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

1.7W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Forward Voltage Vf

0.8V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

4.5nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

1.4 mm

Height

1.02mm

Length

3.04mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
CN

N-Channel MOSFET, 30V to 50V, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


relaterade länkar