Vishay N-kanal Kanal, MOSFET, 2.6 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, TrenchFET

Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal (1 enhet)*

1,90 kr

(exkl. moms)

2,38 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 5 920 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
1 - 241,90 kr
25 - 991,23 kr
100 - 4990,90 kr
500 +0,78 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
735-213
Tillv. art.nr:
SI2302HDS-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Vishay

Kanaltyp

N-kanal

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

2.6A

Maximal källspänning för dränering Vds

20V

Kapseltyp

SOT-23

Serie

TrenchFET

Typ av fäste

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

0.075Ω

Kanalläge

Förbättring

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

3.5nC

Maximal effektförlust Pd

0.71W

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal spänning för grindkälla Vgs

8V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

RoHS Compliant

Fordonsstandard

Nej

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.