Vishay Siliconix Typ P Kanal, MOSFET, 3.6 A 40 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, TrenchFET

RS-artikelnummer:: 178-3663
Tillv. art.nr:: Si2319DDS-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:: Vishay Siliconix

Vishay Siliconix Typ P Kanal, MOSFET, 3.6 A 40 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, TrenchFET

Antal (1 rulle med 3000 enheter)*

4 878,00 kr

(exkl. moms)

6 096,00 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr

Sista RS lager

Slutlig(a) 3 000 enhet(er), redo att levereras

Enheter	Per enhet	Per rulle*
3000 +	1,626 kr	4 878,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 178-3663
Tillv. art.nr:: Si2319DDS-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:: Vishay Siliconix

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Vishay Siliconix
	Produkttyp	MOSFET
	Kanaltyp	Typ P
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	3.6A
	Maximal källspänning för dränering Vds	40V
	Kapseltyp	SOT-23
	Serie	TrenchFET
	Fästetyp	Yta
	Antal ben	3
	Maximal drain-källresistans Rds	100mΩ
	Kanalläge	Förbättring
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Maximal effektförlust Pd	1.7W
	Maximal spänning för grindkälla Vgs	20 V
	Framåtriktad spänning Vf	-1.2V
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	12.5nC
	Maximal arbetstemperatur	150°C
	Bredd	1.4 mm
	Standarder/godkännanden	No
	Höjd	1.02mm
	Längd	3.04mm
	Fordonsstandard	Nej

	Välj alla
	Varumärke Vishay Siliconix
	Produkttyp MOSFET
	Kanaltyp Typ P
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 3.6A
	Maximal källspänning för dränering Vds 40V
	Kapseltyp SOT-23
	Serie TrenchFET
	Fästetyp Yta
	Antal ben 3
	Maximal drain-källresistans Rds 100mΩ
	Kanalläge Förbättring
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Maximal effektförlust Pd 1.7W
	Maximal spänning för grindkälla Vgs 20 V
	Framåtriktad spänning Vf -1.2V
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 12.5nC
	Maximal arbetstemperatur 150°C
	Bredd 1.4 mm
	Standarder/godkännanden No
	Höjd 1.02mm
	Längd 3.04mm
	Fordonsstandard Nej

Datasheet

RoHS-status: Undantagen

COO (ursprungsland):: CN

Vishay MOSFET

The Vishay surface mount P-channel MOSFET is a new age product with a drain-source voltage of 40V and a maximum gate-source voltage of 20V. It has drain-source resistance of 75mohms at a gate-source voltage of 10V. It has a maximum power dissipation of 1.7W and continuous drain current of 3.6A. The minimum and a maximum driving voltage for this MOSFET is 4.5V and 10V respectively. The MOSFET has been optimized for lower switching and conduction losses. The MOSFET offers excellent efficiency along with a long and productive life without compromising performance or functionality.

Features and Benefits

• Halogen free

• Lead (Pb) free

• Operating temperature ranges between -55°C and 150°C

• TrenchFET power MOSFET

Applications

• Battery switch

• Load switch

• Motor drive control

Certifications

• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• Rg tested

• UIS tested