Vishay Siliconix Typ P Kanal, MOSFET, 3.6 A 40 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, TrenchFET
- RS-artikelnummer:
- 178-3663
- Tillv. art.nr:
- Si2319DDS-T1-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay Siliconix
Antal (1 rulle med 3000 enheter)*
6 168,00 kr
(exkl. moms)
7 710,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Sista RS lager
- Slutlig(a) 3 000 enhet(er), redo att levereras
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 3000 + | 2,056 kr | 6 168,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 178-3663
- Tillv. art.nr:
- Si2319DDS-T1-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay Siliconix
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay Siliconix | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 3.6A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 40V | |
| Kapseltyp | SOT-23 | |
| Serie | TrenchFET | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 100mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 1.7W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 12.5nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | -1.2V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Bredd | 1.4mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 1.02mm | |
| Längd | 3.04mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay Siliconix | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 3.6A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 40V | ||
Kapseltyp SOT-23 | ||
Serie TrenchFET | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 100mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 1.7W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 12.5nC | ||
Framåtriktad spänning Vf -1.2V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Bredd 1.4mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 1.02mm | ||
Längd 3.04mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
RoHS-status: Undantagen
- COO (ursprungsland):
- CN
Vishay MOSFET
Vishays ytmonterade P-kanal MOSFET är en ny tidsålderprodukt med en dräneringskällspänning på 40 V och en maximal grindkällspänning på 20 V. Den har drain-source-motstånd på 75 mohm vid en gate-source-spänning på 10 V. Den har en maximal effektförlust på 1,7 W och kontinuerlig dräneringsström på 3,6 A. Minsta och maximala drivspänning för denna MOSFET är 4,5 V respektive 10 V. MOSFET har optimerats för lägre omkopplings- och ledningsförluster. MOSFET erbjuder utmärkt effektivitet tillsammans med en lång och produktiv livslängd utan att kompromissa med prestanda eller funktionalitet.
Funktioner och fördelar
• Halogenfria
• Fri från bly (Pb)
• Driftstemperaturområden mellan -55 °C och 150 °C
• TrenchFET effekt MOSFET
Användningsområden
• Batteriomkopplare
• Lastbrytare
• Motorstyrning
Certifieringar
• ANSI/ESD S20.20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007
• Rg-testad
• UIS-testat
Relaterade länkar
- Vishay Siliconix Typ P Kanal, MOSFET, 3.6 A 40 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, TrenchFET
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 3.6 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, TrenchFET
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 5.9 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, TrenchFET
- Vishay P-kanal Kanal, MOSFET, -3.1 A -20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, TrenchFET
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 2.2 A 80 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, TrenchFET
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 2.7 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, TrenchFET
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 3.5 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, TrenchFET
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 7.6 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, TrenchFET