Vishay N-kanal Kanal, MOSFET, 5.6 A 40 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, TrenchFET
- RS-artikelnummer:
- 735-214
- Tillv. art.nr:
- SI2318HDS-T1-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 enhet)*
2,24 kr
(exkl. moms)
2,80 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 19 april 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 24 | 2,24 kr |
| 25 - 99 | 1,46 kr |
| 100 + | 0,90 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 735-214
- Tillv. art.nr:
- SI2318HDS-T1-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N-kanal | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 5.6A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 40V | |
| Kapseltyp | SOT-23 | |
| Serie | TrenchFET | |
| Typ av fäste | Ytmontering | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.051Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 5.8nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 2.1W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS Compliant | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N-kanal | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 5.6A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 40V | ||
Kapseltyp SOT-23 | ||
Serie TrenchFET | ||
Typ av fäste Ytmontering | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.051Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 5.8nC | ||
Maximal effektförlust Pd 2.1W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS Compliant | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- US
Relaterade länkar
- Vishay N-kanal Kanal 2.6 A 20 V Förbättring SOT-23, TrenchFET
- Vishay P-kanal Kanal -3.1 A -20 V Förbättring SOT-23, TrenchFET
- Vishay Typ P Kanal 3 A 80 V Förbättring SOT-23, TrenchFET
- Vishay Typ P Kanal 5.9 A 20 V Förbättring SOT-23, TrenchFET
- Vishay Typ P Kanal 2.2 A 80 V Förbättring SOT-23, TrenchFET
- Vishay Typ P Kanal 7.6 A 30 V Förbättring SOT-23, TrenchFET
- Vishay Typ P Kanal 6 A 20 V Förbättring SOT-23, TrenchFET
- Vishay Typ P Kanal 5 A 30 V Förbättring SOT-23, TrenchFET