Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET, 58 A, 30 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SIRA14DP-T1-GE3

Se alla MOSFETs
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 längd med 10 enheter)*

66,19 kr

(exkl. moms)

82,74 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 2 000 enhet(er) från den 29 december 2025
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per Längd*
10 - 906,619 kr66,19 kr
100 - 4906,272 kr62,72 kr
500 - 9905,622 kr56,22 kr
1000 - 24904,099 kr40,99 kr
2500 +3,707 kr37,07 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
787-9389
Tillv. art.nr:
SIRA14DP-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

58A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Series

TrenchFET

Package Type

SO-8

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

8.5mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

31.2W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

0.76V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

19.4nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Length

6.25mm

Height

1.12mm

Width

5.26 mm

Automotive Standard

No

N-Channel MOSFET, TrenchFET Gen IV, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


relaterade länkar