Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET, 58 A, 30 V Enhancement, 8-Pin SO-8

Se alla MOSFETs

Antal (1 rulle med 3000 enheter)*

7 767,00 kr

(exkl. moms)

9 708,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 13 juli 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
3000 +2,589 kr7 767,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
165-6980
Tillv. art.nr:
SIRA14DP-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

58A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Series

TrenchFET

Package Type

SO-8

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

8.5mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

19.4nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Forward Voltage Vf

0.76V

Maximum Power Dissipation Pd

31.2W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Length

6.25mm

Height

1.12mm

Width

5.26 mm

Automotive Standard

No

N-Channel MOSFET, TrenchFET Gen IV, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


relaterade länkar