Sök efter MPN

Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 50 A 20 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET

RS-artikelnummer:: 787-9342
Tillv. art.nr:: SIR401DP-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:: Vishay

Antal (1 förpackning med 5 enheter)*

50,90 kr

(exkl. moms)

63,60 kr

(inkl. moms)

Lagerinformation är för närvarande otillgänglig - kom tillbaka senare

Enheter	Per enhet	Per förpackning*
5 +	10,18 kr	50,90 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 787-9342
Tillv. art.nr:: SIR401DP-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:: Vishay

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Vishay
	Produkttyp	MOSFET
	Kanaltyp	Typ P
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	50A
	Maximal källspänning för dränering Vds	20V
	Kapseltyp	SO-8
	Serie	TrenchFET
	Fästetyp	Yta
	Antal ben	8
	Maximal drain-källresistans Rds	7.7mΩ
	Kanalläge	Förbättring
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	205nC
	Maximal spänning för grindkälla Vgs	12 V
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Maximal effektförlust Pd	39W
	Framåtriktad spänning Vf	-1.1V
	Maximal arbetstemperatur	150°C
	Höjd	1.12mm
	Längd	6.25mm
	Standarder/godkännanden	No
	Bredd	5.26 mm
	Fordonsstandard	Nej

	Välj alla
	Varumärke Vishay
	Produkttyp MOSFET
	Kanaltyp Typ P
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 50A
	Maximal källspänning för dränering Vds 20V
	Kapseltyp SO-8
	Serie TrenchFET
	Fästetyp Yta
	Antal ben 8
	Maximal drain-källresistans Rds 7.7mΩ
	Kanalläge Förbättring
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 205nC
	Maximal spänning för grindkälla Vgs 12 V
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Maximal effektförlust Pd 39W
	Framåtriktad spänning Vf -1.1V
	Maximal arbetstemperatur 150°C
	Höjd 1.12mm
	Längd 6.25mm
	Standarder/godkännanden No
	Bredd 5.26 mm
	Fordonsstandard Nej

Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 50 A 20 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET

P-Channel MOSFET, TrenchFET Gen III, Vishay Semiconductor

MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor

Relaterade länkar