Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET, 45.5 A, 30 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SIRA88DP-T1-GE3

Se alla MOSFETs
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 25 enheter)*

43,575 kr

(exkl. moms)

54,475 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 13 juli 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
25 - 2251,743 kr43,58 kr
250 - 6001,698 kr42,45 kr
625 - 12251,658 kr41,45 kr
1250 - 24751,613 kr40,33 kr
2500 +1,577 kr39,43 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
134-9696
Tillv. art.nr:
SIRA88DP-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

45.5A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Package Type

SO-8

Series

TrenchFET

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

10mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

16.8nC

Forward Voltage Vf

1.1V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

25W

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Height

1.12mm

Width

5.26 mm

Length

6.25mm

Automotive Standard

No

N-Channel MOSFET, TrenchFET Gen IV, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


relaterade länkar