Dual N/P-Channel-Channel MOSFET, 4.3 A, 6 A, 30 V, 8-Pin SOIC Vishay SI4532CDY-T1-GE3

RS-artikelnummer:: 165-7226
Tillv. art.nr:: SI4532CDY-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:: Vishay

Dual N/P-Channel-Channel MOSFET, 4.3 A, 6 A, 30 V, 8-Pin SOIC Vishay SI4532CDY-T1-GE3

Pris (ex. moms) Var (i en rulle med 2500)

2,599 kr

(exkl. moms)

3,249 kr

(inkl. moms)

Tillfälligt slut i lager – restorder för leverans 2024-10-26*

* Leveransdatumen kan ändras beroende på vald kvantitet och leveransadress.

FRI frakt på alla onlineordrar över 500,00 kr

Enheter	Per enhet	Per rulle**
2500 +	2,599 kr	6 497,50 kr

RS-artikelnummer:: 165-7226
Tillv. art.nr:: SI4532CDY-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:: Vishay

Si4532CDY, N- and P-Channel 30V (Drain-Source) MOSFET Data Sheet
ESD Control Selection Guide V1

Attribute	Value
Channel Type	N, P
Maximum Continuous Drain Current	4.3 A, 6 A
Maximum Drain Source Voltage	30 V
Package Type	SOIC
Mounting Type	Surface Mount
Pin Count	8
Maximum Drain Source Resistance	65 mΩ, 140 mΩ
Channel Mode	Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage	1V
Maximum Power Dissipation	2.78 W
Transistor Configuration	Isolated
Maximum Gate Source Voltage	-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip	2
Width	4mm
Transistor Material	Si
Length	5mm
Typical Gate Charge @ Vgs	6 nC @ 10 V, 7.8 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Height	1.5mm
Minimum Operating Temperature	-55 °C

Dual N/P-Channel-Channel MOSFET, 4.3 A, 6 A, 30 V, 8-Pin SOIC Vishay SI4532CDY-T1-GE3

FRI frakt på alla onlineordrar över 500,00 kr

Dual N/P-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor