Vishay Isolated TrenchFET 2 Type P, Type N-Channel MOSFET, 6 A, 30 V Enhancement, 8-Pin SOIC

Se alla MOSFETs

Antal (1 rulle med 2500 enheter)*

6 820,00 kr

(exkl. moms)

8 525,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 2 500 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
2500 +2,728 kr6 820,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
165-7226
Tillv. art.nr:
SI4532CDY-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Vishay

Channel Type

Type P, Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

6A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Package Type

SOIC

Series

TrenchFET

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

140mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

2.78W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

6nC

Minimum Operating Temperature

150°C

Maximum Operating Temperature

-55°C

Transistor Configuration

Isolated

Width

4 mm

Height

1.5mm

Length

5mm

Standards/Approvals

No

Number of Elements per Chip

2

Automotive Standard

No

Dual N/P-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


relaterade länkar