STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 2.5 A 1500 V Förbättring, 3 Ben, TO-3PF, MDmesh
- RS-artikelnummer:
- 761-0493
- Tillv. art.nr:
- STFW3N150
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 enhet)*
40,43 kr
(exkl. moms)
50,54 kr
(inkl. moms)
Lägg till 15 enheter för att få fri frakt
I lager
- 12 enhet(er) är redo att levereras
- Dessutom levereras 83 enhet(er) från den 24 februari 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 4 | 40,43 kr |
| 5 - 9 | 38,42 kr |
| 10 - 24 | 34,38 kr |
| 25 - 49 | 31,02 kr |
| 50 + | 29,68 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 761-0493
- Tillv. art.nr:
- STFW3N150
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 2.5A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 1500V | |
| Kapseltyp | TO-3PF | |
| Serie | MDmesh | |
| Fästetyp | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 9Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 29.3nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 30 V | |
| Maximal effektförlust Pd | 63W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.6V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 15.7mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Bredd | 5.7 mm | |
| Höjd | 26.7mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 2.5A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 1500V | ||
Kapseltyp TO-3PF | ||
Serie MDmesh | ||
Fästetyp Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 9Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 29.3nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 30 V | ||
Maximal effektförlust Pd 63W | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.6V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 15.7mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Bredd 5.7 mm | ||
Höjd 26.7mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
N-Channel MDmesh™, 800V/1500V, STMicroelectronics
MOSFET-transistorer, STMicroelectronics
Relaterade länkar
- STMicroelectronics Typ N Kanal 2.5 A 1500 V Förbättring TO-3PF, MDmesh
- STMicroelectronics Typ N Kanal 58 A 710 V Förbättring TO-3PF, MDmesh M5
- STMicroelectronics Typ N Kanal 4 A 1500 V Förbättring TO-3PF, STFW4
- STMicroelectronics Typ N Kanal 2.5 A 1500 V Förbättring H2PAK, MDmesh
- STMicroelectronics Typ N Kanal 2.5 A 1500 V Förbättring TO-220, MDmesh
- STMicroelectronics Typ N Kanal 2.5 A 1500 V Förbättring TO-247, MDmesh
- STMicroelectronics Typ N Kanal 4 A 1500 V Förbättring TO-220, MDmesh
- STMicroelectronics Typ N Kanal 4 A 1500 V Förbättring TO-247, MDmesh
