STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 2.5 A 1500 V Förbättring, 3 Ben, H2PAK, MDmesh
- RS-artikelnummer:
- 792-5861
- Tillv. art.nr:
- STH3N150-2
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 2 enheter)*
96,14 kr
(exkl. moms)
120,18 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- 934 enhet(er) levereras från den 15 september 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 48,07 kr | 96,14 kr |
| 20 - 98 | 46,485 kr | 92,97 kr |
| 100 - 198 | 45,04 kr | 90,08 kr |
| 200 + | 39,035 kr | 78,07 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 792-5861
- Tillv. art.nr:
- STH3N150-2
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 2.5A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 1500V | |
| Serie | MDmesh | |
| Kapseltyp | H2PAK | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 9Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 30V | |
| Maximal effektförlust Pd | 140W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 29.3nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 10.4mm | |
| Bredd | 15.8mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 4.8mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 2.5A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 1500V | ||
Serie MDmesh | ||
Kapseltyp H2PAK | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 9Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 30V | ||
Maximal effektförlust Pd 140W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 29.3nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 10.4mm | ||
Bredd 15.8mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 4.8mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
N-kanal MDmeshTM, 800 V/1 500 V, STMicroelectronics
MOSFET-transistorer, STMicroelectronics
Relaterade länkar
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 2.5 A 1500 V Förbättring, 3 Ben, H2PAK, MDmesh
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 2.5 A 1500 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, MDmesh
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 2.5 A 1500 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, MDmesh
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 2.5 A 1500 V Förbättring, 3 Ben, TO-3PF, MDmesh
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 1.5 A 1200 V Förbättring, 3 Ben, H2PAK-2, MDmesh K5
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 21 A 1200 V Förbättring, 3 Ben, H2PAK-2, MDmesh K5
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 4 A 1500 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, MDmesh
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 4 A 1500 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, MDmesh
